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MALH120YGLS0 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 17:22:57 查看 閱讀�32

MALH120YGLS0 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,采� TO-252 封裝形式。該器件具有低導通電�、高開關(guān)速度和出色的熱穩(wěn)定性等特�,適用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用場景�
  這款 MOSFET 通常被用作開�(guān)或放大元�,在汽車電子、工�(yè)控制、消費類電子�(chǎn)品等領域有著廣泛的應�。其設計旨在提供更高的效率和更小的體�,以滿足�(xiàn)代電子設備對小型化和高效能的需求�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�120A
  導通電阻:1.2mΩ
  總功耗:180W
  工作溫度范圍�-55� to 175�

特�

MALH120YGLS0 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導損耗并提高整體效率�
  2. 高速開�(guān)能力,能夠支持高頻應用環(huán)��
  3. �(yōu)秀的熱性能表現(xiàn),確保在高負載條件下�(wěn)定運��
  4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合長期使用�
  5. 支持多種保護功能,例如過流保護和短路保護,增強了器件的安全��
  6. 寬泛的工作溫度范�,適應極端環(huán)境下的操作需��

應用

MALH120YGLS0 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機�(qū)動與控制電路�
  3. 汽車電子系統(tǒng),如啟動馬達控制、燃油噴射等�
  4. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模塊�
  5. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)��
  6. 各種消費類電子產(chǎn)品的電源管理部分�

替代型號

IRLZ44N, AO3400A, FDP55N06L

malh120ygls0推薦供應� 更多>

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