MAZ830000L是一種高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),專為高效率、低功耗應用而設計。該器件采用先進的制造工�,具有極低的導通電阻和快速開�(guān)性能,適用于多種電源管理場景,如DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)�、負載開�(guān)��
MAZ830000L屬于N溝道增強型MOSFET,支持高電流操作,并在高溫環(huán)境下表現(xiàn)出優(yōu)異的�(wěn)定��
型號:MAZ830000L
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�15A
導通電阻(典型值)�1.5mΩ
柵極電荷�27nC
總電容(輸入電容):450pF
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
MAZ830000L的主要特點是其超低的導通電阻(Rds(on)),這使其能夠顯著降低傳導損�,提高系�(tǒng)的整體效率。此�,該器件具備以下�(yōu)勢:
- 快速開�(guān)速度,適合高頻應�
- 高雪崩能量能�,增強了器件的魯棒�
- 緊湊的封裝設計,節(jié)省PCB空間
- 符合RoHS標準,環(huán)保且易于集成
- 支持寬范圍的工作溫度,適應惡劣環(huán)�
這些特點使得MAZ830000L成為工業(yè)級和汽車級應用的理想選擇�
MAZ830000L廣泛應用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場�,包括但不限于:
- 開關(guān)電源(SMPS�
- DC-DC�(zhuǎn)換器
- 電機�(qū)動與控制
- 電池管理系統(tǒng)(BMS�
- 汽車電子系統(tǒng)中的負載開關(guān)
- 工業(yè)自動化設備中的功率管理模�
由于其低導通電阻和快速開�(guān)性能,MAZ830000L特別適合需要高能效和小尺寸解決方案的應用領域�
MAZ830001L, IRF3205, FDP16N06L