MAZF04700LSO 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,專為高頻和高功率應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),具有出色的�(kāi)�(guān)性能、低�(dǎo)通電阻以及高效的熱管理能力。由于其卓越的性能表現(xiàn),MAZF04700LSO 廣泛�(yīng)用于射頻放大�、功率轉(zhuǎn)換模塊以及通信�(shè)備等�(lǐng)域�
該器件在高頻工作條件下表�(xiàn)出極低的損�,同�(shí)能夠承受較高的電壓和電流密度,這使得它成為替代傳統(tǒng)硅基功率器件的理想選��
類型:增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�
材料:氮化鎵(GaN�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�15A
�(dǎo)通電阻:47mΩ
柵極電荷�80nC
反向恢復(fù)�(shí)間:�(wú)(因 GaN 技�(shù)�(wú)反向恢復(fù)特性)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:LFPAK56
MAZF04700LSO 的主要特性包括:
1. 高開(kāi)�(guān)頻率支持,適用于高頻�(yīng)用場(chǎng)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(47mΩ),有助于減少傳�(dǎo)損��
3. 先�(jìn)的氮化鎵技�(shù)確保了更高的效率和更小的體積�
4. 良好的熱性能�(shè)�(jì),使器件能夠在高溫環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. �(nèi)置保�(hù)功能,如�(guò)流保�(hù)和短路耐受能力,提高了系統(tǒng)的可靠��
6. 封裝兼容性良�,便于直接替換現(xiàn)有解決方案中的其他類型晶體管�
MAZF04700LSO 適合多種高性能需求的�(yīng)用領(lǐng)�,例如:
1. 射頻功率放大器:用于�(wú)線通信基站和其他高頻信�(hào)處理�(chǎng)景�
2. 功率�(zhuǎn)換器:DC-DC � AC-DC �(zhuǎn)換電路中作為高效�(kāi)�(guān)元件�
3. 新能源系�(tǒng):太�(yáng)能逆變�、電�(dòng)車驅(qū)�(dòng)器及�(chǔ)能裝置中的關(guān)鍵組��
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:提供快速響�(yīng)與精確控制能��
5. �(shù)�(jù)中心電源供應(yīng):實(shí)�(xiàn)更高能效��
MAZF04500LSO
MAZF05000LSO