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MB85RC256VPF-G-JNERE2 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/23 18:02:08 查看 閱讀：10

MB85RC256VPF-G-JNERE2 是一款由富士通（Fujitsu）生產(chǎn)的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FRAM），具有非易失性、高速寫入和低功耗的特點(diǎn)。它是一種基于鐵電技術(shù)的存儲(chǔ)器，能夠在斷電后保存數(shù)據(jù)，同時(shí)具備比傳統(tǒng) EEPROM 和閃存更快的寫入速度以及更高的耐久性。
　　該型號(hào)是 MB85RC256V 系列的一部分，采用 SOIC-8 封裝形式，工作電壓范圍為 1.8V 至 3.6V，容量為 256Kb（32K x 8 位）。其設(shè)計(jì)適合需要頻繁寫入數(shù)據(jù)且對(duì)數(shù)據(jù)保持時(shí)間要求較高的應(yīng)用。

參數(shù)

容量：256Kb (32768 字節(jié))
　　接口類型：I2C
　　工作電壓：1.8V 至 3.6V
　　最大時(shí)鐘頻率：400kHz (標(biāo)準(zhǔn)模式) / 1MHz (快速模式)
　　封裝形式：SOIC-8
　　工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
　　引腳數(shù)：8
　　擦寫次數(shù)：10^12 次
　　數(shù)據(jù)保存時(shí)間：超過 10 年

特性

MB85RC256VPF-G-JNERE2 的主要特點(diǎn)是采用了鐵電存儲(chǔ)技術(shù)，這使得它在性能和可靠性方面具有顯著優(yōu)勢(shì)：
　　1. 非易失性：即使斷電也能保存數(shù)據(jù)。
　　2. 高速寫入：無需等待寫入周期完成即可進(jìn)行下一次操作。
　　3. 極高的耐久性：支持高達(dá) 10^12 次擦寫循環(huán)，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)的 EEPROM 和閃存。
　　4. 超低功耗：寫入操作不需要高電流或預(yù)充電過程。
　　5. 簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)：由于無需額外的電源管理電路，減少了整體硬件復(fù)雜度。
　　6. 寬工作電壓范圍：適應(yīng)多種供電環(huán)境。
　　7. 支持 I2C 接口：便于與微控制器等設(shè)備連接。

應(yīng)用

MB85RC256VPF-G-JNERE2 在許多領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用，包括但不限于以下場(chǎng)景：
　　1. 工業(yè)自動(dòng)化：用于數(shù)據(jù)記錄、配置存儲(chǔ)和實(shí)時(shí)監(jiān)控。
　　2. 醫(yī)療設(shè)備：存儲(chǔ)關(guān)鍵健康數(shù)據(jù)和校準(zhǔn)信息。
　　3. 消費(fèi)電子產(chǎn)品：如電子標(biāo)簽、計(jì)步器和其他便攜式設(shè)備。
　　4. 計(jì)量?jī)x表：如水表、電表和氣表的數(shù)據(jù)記錄。
　　5. 物聯(lián)網(wǎng)（IoT）：適用于頻繁更新狀態(tài)信息的節(jié)點(diǎn)設(shè)備。
　　6. 游戲機(jī)和玩具：存儲(chǔ)用戶進(jìn)度和個(gè)性化設(shè)置。
　　7. 環(huán)境監(jiān)測(cè)：長(zhǎng)時(shí)間記錄傳感器數(shù)據(jù)而無需擔(dān)心寫入次數(shù)限制。

替代型號(hào)

MB85RC256V-GNE
　　MB85RC256V-TNE
　　MB85RC256V-SNE

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mb85rc256vpf-g-jnere2參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 存儲(chǔ)器類型非易失
  • 存儲(chǔ)器格式FRAM
  • 技術(shù)FRAM（鐵電體 RAM）
  • 存儲(chǔ)容量256Kb
  • 存儲(chǔ)器組織32K x 8
  • 存儲(chǔ)器接口I2C
  • 時(shí)鐘頻率1 MHz
  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)-
  • 訪問時(shí)間550 ns
  • 電壓 - 供電2.7V ~ 5.5V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C（TA）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼8-SOIC（0.209"，5.30mm 寬）
  • 供應(yīng)商器件封裝8-SOP