時(shí)間：2025/4/29 9:15:32
閱讀：36
MB85RC256V 是一款由富士通（Fujitsu）生產(chǎn)的鐵電隨機(jī)存取存儲器（FeRAM），屬于非易失性存儲器的一種。該系列芯片采用先進(jìn)的鐵電工藝技術(shù)，具有高速讀寫、低功耗和高耐久性的特點(diǎn)。PNF-G-JNERE1 是 MB85RC256V 的特定封裝和等級版本，適用于工業(yè)級或擴(kuò)展溫度范圍的應(yīng)用場景。
FeRAM 技術(shù)結(jié)合了 RAM 的快速訪問特性和閃存的非易失性，使其非常適合需要頻繁數(shù)據(jù)記錄、斷電保護(hù)或?qū)崟r(shí)數(shù)據(jù)保存的場合。
容量：256Kb (32768 x 8)
接口類型：I2C
工作電壓：1.7V 至 3.6V
最大時(shí)鐘頻率：400kHz / 1MHz（取決于具體型號）
數(shù)據(jù)保持時(shí)間：超過10年
擦寫周期：10^12 次
工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
封裝類型：SOP-8
MB85RC256V 系列的主要特性包括：
1. 非易失性：斷電后數(shù)據(jù)不會丟失，無需額外的備份電池。
2. 高速寫入：相較于 EEPROM 或閃存，寫入速度更快，適合實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄。
3. 超高耐久性：支持高達(dá) 10^12 次的擦寫周期，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過傳統(tǒng)非易失性存儲器的能力。
4. 低功耗：寫入操作無需大電流脈沖，降低了系統(tǒng)能耗。
5. 簡化的系統(tǒng)設(shè)計(jì)：由于其快速響應(yīng)和非易失性，可以減少外部組件的數(shù)量。
6. 小型化封裝：SOP-8 封裝使得它能夠用于空間受限的設(shè)計(jì)。
MB85RC256V 在多個(gè)領(lǐng)域中具有廣泛應(yīng)用，例如：
1. 工業(yè)控制：用于數(shù)據(jù)日志記錄、校準(zhǔn)參數(shù)存儲等。
2. 醫(yī)療設(shè)備：如便攜式醫(yī)療儀器的數(shù)據(jù)存儲。
3. 消費(fèi)類電子：例如打印機(jī)的墨水狀態(tài)監(jiān)控、數(shù)碼相機(jī)設(shè)置保存。
4. 汽車電子：事件數(shù)據(jù)記錄儀（黑匣子）、發(fā)動機(jī)控制單元（ECU）配置參數(shù)保存。
5. 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備：傳感器數(shù)據(jù)緩存、設(shè)備配置信息保存。
6. 計(jì)量儀表：智能電表、水表中的數(shù)據(jù)記錄與恢復(fù)功能。
MB85RC256A, MB85RS256, CY15B102Q, AT24C256
