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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > MBRF20100G

MBRF20100G 發(fā)布時間 時間�2025/6/6 16:37:30 查看 閱讀�7

MBRF20100G 是一款高性能� NPN 型硅功率晶體�,專為高頻和高功率應用設(shè)�。該晶體管具有低飽和電壓、快速開�(guān)特性和高增益等�(yōu)�,適用于各種功率放大�、開�(guān)電源以及高頻電路��

參數(shù)

集電�-�(fā)射極擊穿電壓�100V
  集電極最大電流:20A
  功率耗散�200W
  直流電流增益(hFE):30~100
  過渡頻率(fT):450MHz
  存儲溫度范圍�-55℃至+150�
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�

特�

MBRF20100G 具有以下顯著特點�
  1. 高擊穿電壓允許其在高壓環(huán)境下運行,同時保證穩(wěn)定��
  2. 低飽和電壓減少功耗,提升效率�
  3. 快速開�(guān)速度使其非常適合高頻應用,如射頻功率放大器和高速開�(guān)電路�
  4. 高電流能力支持大功率負載�(qū)��
  5. 寬廣的工作溫度范圍使其能夠適應惡劣的�(huán)境條��
  6. 高可靠性設(shè)計確保長時間�(wěn)定運行�

應用

MBRF20100G 廣泛應用于以下領(lǐng)域:
  1. 射頻功率放大��
  2. 開關(guān)電源中的高頻開關(guān)元件�
  3. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率驅(qū)動電��
  4. 通信系統(tǒng)中的信號放大模塊�
  5. 高效電力�(zhuǎn)換器中的�(guān)鍵元件�
  6. 各種需要高功率和高頻性能的電子設(shè)��

替代型號

MBR20100G, MRF20100G

mbrf20100g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
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