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MBT3904DW1T1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/5/20 15:19:24 查看 閱讀�423

MBT3904DW1T1G是一種NPN型雙極晶體管(Bipolar Junction Transistor,簡(jiǎn)稱BJT�,它是由ON Semiconductor公司生產(chǎn)�,常用于低功耗放大器、開(kāi)�(guān)電路、電源穩(wěn)壓器和邏輯門等應(yīng)用中。它具有高增�、低噪聲和快速開(kāi)�(guān)速度等優(yōu)�(diǎn),因此被廣泛�(yīng)用于各種電子�(shè)備和電路��
  MBT3904DW1T1G的操作理論基于PN�(jié)的導(dǎo)電特性。PN�(jié)是由P型半�(dǎo)體和N型半�(dǎo)體材料通過(guò)�(kuò)散過(guò)程形成的。N型半�(dǎo)體中的自由電子和P型半�(dǎo)體中的空穴在PN�(jié)的附近相互擴(kuò)散和�(fù)合,形成一�(gè)電勢(shì)�。當(dāng)外加電壓使PN�(jié)正向偏置(即P端為正電�,N端為�(fù)電壓�,電�(shì)壘減�,電子和空穴可以通過(guò)PN�(jié)流動(dòng),晶體管處于�(dǎo)通狀�(tài);當(dāng)外加電壓使PN�(jié)反向偏置(即P端為�(fù)電壓,N端為正電壓),電�(shì)壘增大,電子和空穴被阻擋,晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)�
  MBT3904DW1T1G的三�(gè)引腳分別是:�(fā)射極(Emitter�、基極(Base)和集電極(Collector�。當(dāng)�(fā)射極與基極之間施加正向偏置電壓時(shí),電子從�(fā)射極注入到基�,同�(shí)在基區(qū)形成一�(gè)電子云。由于基區(qū)非常�,電子云中的電子可以�(jìn)一步擴(kuò)散到集電極區(qū)域,形成電流。這種注入電子的過(guò)程被稱為“發(fā)射極注入��

基本�(jié)�(gòu)

MBT3904DW1T1G的基本結(jié)�(gòu)如下�
  1、發(fā)射極(Emitter):接收電子注入的極性極�
  2、基極(Base):控制電子注入的極性極�
  3、集電極(Collector):收集電流的極性極�
  4、載流子濃度梯度:通過(guò)P型半�(dǎo)體和N型半�(dǎo)體之間的摻雜濃度差異�(shí)�(xiàn)�
  MBT3904DW1T1G的發(fā)射極和基極之間有一�(gè)PN�(jié),稱為發(fā)射結(jié)(Emitter Junction�,用于控制電子注�。發(fā)射結(jié)的摻雜濃度比較高,使得電子注入到基極的效果更�。集電極和基極之間也有一�(gè)PN�(jié),稱為集電結(jié)(Collector Junction�,用于收集電子流�

參數(shù)

●集�-基極最大電�(VCEO)�40V
  ●集�-�(fā)射極最大電�(VEBO)�6V
  ●發(fā)�-基極最大電�(VCBO)�6V
  ●最大連續(xù)集電電流(IC)�200mA
  ●最大功�(PD)�350mW
  ●最大工作頻率:300MHz
  ●封裝類型:SOT-323
  ●溫度范圍:-55°C�150°C

特點(diǎn)

1、高電流增益:MBT3904DW1T1G具有高電流放大倍數(shù),可以實(shí)�(xiàn)較小的輸入信�(hào)放大為較大的輸出信號(hào)�
  2、低噪聲:MBT3904DW1T1G具有低噪聲特�,在低噪聲放大器和接收器等應(yīng)用中表現(xiàn)良好�
  3、快速開(kāi)�(guān)速度:MBT3904DW1T1G具有快速的�(kāi)�(guān)速度,適用于高頻率應(yīng)用和�(shù)字電路中的開(kāi)�(guān)功能�
  4、高電壓容忍度:MBT3904DW1T1G的集�-基極最大電壓為40V,可以承受較高的電壓�
  5、封裝小巧:MBT3904DW1T1G采用SOT-323封裝,體積小巧,適用于緊湊空間的電路�(shè)�(jì)�

工作原理

MBT3904DW1T1G的工作原理基于PN�(jié)的導(dǎo)電特�。當(dāng)正向偏置�(shí),電流從�(fā)射區(qū)注入基區(qū),然后通過(guò)集電區(qū)流出,形成集電電�。當(dāng)基極電流增加�(shí),集電電流也相應(yīng)增加,實(shí)�(xiàn)電流放大功能。當(dāng)逆向偏置�(shí),PN�(jié)被反向偏�,基本沒(méi)有電流流�(dòng)�

�(yīng)�

MBT3904DW1T1G廣泛�(yīng)用于各種電子�(shè)備中,包括但不限于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
  1、放大器:MBT3904DW1T1G可用于設(shè)�(jì)放大器電路,如音頻放大器、射頻放大器��
  2、開(kāi)�(guān)電路:MBT3904DW1T1G可用作開(kāi)�(guān),用于控制電流或信號(hào)的開(kāi)�(guān)�
  3、振蕩器:MBT3904DW1T1G可用于設(shè)�(jì)振蕩電路,如射頻振蕩�、時(shí)鐘振蕩器��
  4、傳感器接口:MBT3904DW1T1G可用于傳感器接口電路,用于將傳感器輸出的信號(hào)�(zhuǎn)換為電流或電壓信�(hào)�

�(shè)�(jì)流程

MBT3904DW1T1G是一種常�(jiàn)的雙極晶體管,常用于電子電路的放大和�(kāi)�(guān)控制。下面是MBT3904DW1T1G的設(shè)�(jì)流程�
  1、確定應(yīng)用需求:首先確定你的�(yīng)用是放大還是�(kāi)�(guān)控制,并確定所需的電流和電壓參數(shù)。這將有助于選擇合適的晶體��
  2、查找規(guī)格書:查找MBT3904DW1T1G的規(guī)格書或數(shù)�(jù)手冊(cè),里面包含了晶體管的詳細(xì)參數(shù)和特�??梢詮墓�?yīng)商的�(wǎng)�、廠家的官方�(wǎng)站或電子元件的分銷商處獲取規(guī)格書�
  3、選擇工作點(diǎn):根�(jù)�(yīng)用需求和�(guī)格書中提供的參數(shù),選擇適�(dāng)?shù)墓ぷ鼽c(diǎn)。工作點(diǎn)是晶體管在放大或�(kāi)�(guān)控制�(shí)的偏置電流和電壓�
  4、確定電路拓?fù)洌焊�?jù)�(yīng)用需求和工作�(diǎn),確定適�(dāng)?shù)碾娐吠負(fù)?�?duì)于放大應(yīng)�,常�(jiàn)的拓?fù)浒ü采錁O、共基極和共集極。對(duì)于開(kāi)�(guān)控制�(yīng)�,常�(jiàn)的拓?fù)浒ㄩ_(kāi)�(guān)和反相器�
  5、�(jìn)行仿真和分析:使用電子設(shè)�(jì)自動(dòng)化(EDA)軟件�(jìn)行電路仿真和分析。這將幫助你評(píng)估電路的性能和穩(wěn)定�,并�(jìn)行必要的�(yōu)��
  6、PCB布局和布線:根據(jù)電路�(shè)�(jì),�(jìn)行PCB布局和布線。確保布局合理,避免信�(hào)干擾和電源噪聲�
  7、制作原型:根據(jù)�(shè)�(jì)�(jìn)行PCB制作和元件安�,制作出第一�(gè)原型�
  8、�(jìn)行測(cè)試和�(yàn)證:�(duì)原型�(jìn)行測(cè)試和�(yàn)�,確保電路符合設(shè)�(jì)要求??梢允褂檬静�?、信�(hào)�(fā)生器等測(cè)試儀器�(jìn)行性能和穩(wěn)定性測(cè)��
  9、�(jìn)行優(yōu)化和�(diào)整:根據(jù)�(cè)試結(jié)�,�(jìn)行必要的�(yōu)化和�(diào)�??赡苄枰{(diào)整工作點(diǎn)、電路參�(shù)或元件選��
  10、批量生�(chǎn):在完成�(shè)�(jì)�(yōu)化后,可以�(jìn)行批量生�(chǎn),將電路�(yīng)用到�(shí)際產(chǎn)品中�
  以上是MBT3904DW1T1G的設(shè)�(jì)流程,這�(gè)流程可以適用于大多數(shù)晶體管的�(shè)�(jì)�(guò)�。需要注意的是,�(shè)�(jì)�(guò)程中要綜合考慮電路的性能、穩(wěn)定�、可靠性和成本等因�。同�(shí),根�(jù)具體情況也可能需要�(jìn)行一些特殊的�(shè)�(jì)步驟和優(yōu)化方��

安裝要點(diǎn)

MBT3904DW1T1G是一款NPN型晶體管,安裝時(shí)需要注意以下幾�(gè)要點(diǎn)�
  1、引腳標(biāo)�(shí):MBT3904DW1T1G具有三�(gè)引腳,分別是�(fā)射極(E�,基極(B)和集電極(C)。在安裝�(guò)程中,需要確保正確連接每�(gè)引腳�
  2、熱敏性:MBT3904DW1T1G是一�(gè)敏感的電子元�,容易受熱影�。在安裝�(guò)程中,應(yīng)避免直接用手觸摸芯片的金屬部分,以免因體溫過(guò)高而損壞晶體管�
  3、引腳焊接:在將MBT3904DW1T1G焊接到電路板上時(shí),需要使用適�(dāng)?shù)暮附庸ぞ吆图夹g(shù)。確保焊接溫度適中,避免�(guò)高的溫度損壞晶體��
  4、清潔度:在安裝�(guò)程中,應(yīng)保持工作區(qū)域的清潔,確保沒(méi)有灰塵、油漬或其他雜質(zhì)。這些雜質(zhì)可能�(huì)�(dǎo)致焊接不良或短路�
  5、靜電防�(hù):MBT3904DW1T1G是一�(gè)靜電敏感元件,容易受到靜電放電的影響而損�。在安裝�(guò)程中,應(yīng)使用靜電防護(hù)�(shè)�,如靜電手環(huán)或靜電墊,以避免靜電放電引起的損��
  在安裝MBT3904DW1T1G�(shí),需要注意正確連接引腳、避免過(guò)高溫�、保持清潔度、防止靜電放電等。這些要點(diǎn)的遵守可以確保晶體管的正確安裝和可靠性運(yùn)��

常見(jiàn)故障及預(yù)防措�

MBT3904DW1T1G是一種常�(jiàn)的NPN型晶體管,常用于電子電路中的放大和開(kāi)�(guān)�(yīng)�。盡管它是一�(gè)可靠的組件,但仍然可能發(fā)生一些常�(jiàn)的故�。以下是一些常�(jiàn)故障及預(yù)防措施:
  1、晶體管�(guò)熱:晶體管在工作�(shí)可能�(huì)出現(xiàn)�(guò)熱的情況。這可能是�?yàn)殡娏鬟^(guò)大或者環(huán)境溫度過(guò)高導(dǎo)致的。為了預(yù)防過(guò)�,需要確保電路設(shè)�(jì)中的電流不超�(guò)晶體管的額定�,并且在安裝晶體管時(shí),要保證良好的散熱,可以使用散熱片或者風(fēng)扇等散熱裝置�
  2、晶體管擊穿:晶體管在工作時(shí)可能�(huì)�?yàn)殡妷哼^(guò)高而擊�。為了預(yù)防擊�,需要確保電路中的電壓不超過(guò)晶體管的額定�。在�(shè)�(jì)電路�(shí),應(yīng)該合理選擇電壓分壓電�、電容等元件,以保證電壓�(wěn)��
  3、晶體管漏電流過(guò)大:晶體管的漏電流過(guò)大可能會(huì)�(dǎo)致電路不正常工作。為了預(yù)防這種情況,需要選擇質(zhì)量可靠的晶體�,并且在安裝�(shí)要正確連接引腳,避免引腳短路或者接觸不��
  4、焊接問(wèn)題:晶體管的焊接不良可能�(huì)�(dǎo)致接觸不良或者焊�(diǎn)斷裂等問(wèn)�。為了預(yù)防焊接問(wèn)�,需要使用合適的焊接工具和技�(shù),確保焊接質(zhì)量良好。在焊接�(guò)程中,還需注意溫度控制,避免過(guò)高溫度對(duì)晶體管造成損害�
  5、靜電損壞:靜電可能�(huì)�(duì)晶體管造成損壞。為了預(yù)防靜電損�,需要在操作晶體管時(shí)使用防靜電手套或者接地設(shè)�,避免靜電的積累和放��

mbt3904dw1t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

mbt3904dw1t1g資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

mbt3904dw1t1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列
  • 系列-
  • 晶體管類�2 NPN(雙�
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)200mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)40V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)300mV @ 5mA�50mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)100 @ 10mA�1V
  • 功率 - 最�150mW
  • 頻率 - �(zhuǎn)�300MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-88
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MBT3904DW1T1GOSTR