MC02KTB250103 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率開(kāi)�(guān)器件,廣泛應(yīng)用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及射頻功率放大等領(lǐng)域。該芯片采用了先�(jìn)的封裝工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并減少�(fā)�。其出色的性能使其成為新一代電力電子設(shè)備的理想選擇�
該芯片在�(shè)�(jì)上充分考慮了電磁兼容性和熱管理問(wèn)�,同�(shí)具備完善的保�(hù)功能,如�(guò)流保�(hù)、短路保�(hù)�,確保了其在�(fù)雜工況下的穩(wěn)定運(yùn)�。此�,MC02KTB250103 還支持多種驅(qū)�(dòng)模式,便于與不同類型的控制電路�(jìn)行集成�
類型:功率開(kāi)�(guān)�
材料:氮化鎵(GaN�
額定電壓�650V
額定電流�20A
�(dǎo)通電阻:40mΩ
�(kāi)�(guān)頻率范圍�1MHz - 10MHz
功耗:�1W
工作溫度范圍�-40� � +125�
封裝形式:TO-247
MC02KTB250103 的主要特性包括:
1. 高效的氮化鎵材料使得其具備更低的�(dǎo)通電阻和更高的擊穿電�,從而大幅降低能量損耗�
2. 支持高達(dá) 10MHz 的開(kāi)�(guān)頻率,適用于高頻�(yīng)用環(huán)境�
3. �(nèi)置全面的保護(hù)�(jī)�,包括過(guò)流保�(hù)、過(guò)溫保�(hù)和短路保�(hù)等功��
4. 封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化散熱性能,能夠在高功率密度條件下保持�(wěn)定運(yùn)行與外圍�(qū)�(dòng)電路集成,簡(jiǎn)化系�(tǒng)�(shè)�(jì)流程�
這些特性使� MC02KTB250103 成為各類高效能電力電子設(shè)備的核心元件�
MC02KTB250103 被廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高頻�(kāi)�(guān)電源
2. 服務(wù)器及通信�(shè)備中� DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電動(dòng)汽車充電�(shè)�
4. 射頻功率放大�
5. 工業(yè)�(jí)電機(jī)�(qū)�(dòng)�
6. 光伏逆變�
憑借其卓越的性能,該芯片在上述應(yīng)用場(chǎng)景中能夠有效提升系統(tǒng)的整體效率并降低能��
MPX20N06L
GAN063-650WSA