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MC100EPT24DR2G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 19:00:21 查看 閱讀�32

MC100EPT24DR2G 是一款由 Microchip 生產(chǎn)的高效能功率 MOSFET �(qū)�(dòng)器芯�。該�(qū)�(dòng)器專為需要高電流和快速開�(guān)的應(yīng)用而設(shè)�(jì),廣泛用于電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)、工�(yè)自動(dòng)化以及通信�(shè)備等�(lǐng)�。其封裝形式� SOIC-8,能夠提供強(qiáng)大的柵極�(qū)�(dòng)能力,并具有良好的抗噪性能和保�(hù)特��
  該芯片能夠在較寬的工作電壓范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)�,并且具備短路保�(hù)、過溫保�(hù)等功�,以確保在極端條件下依然保持可靠性�24DR2G 的低傳播延遲和高 CMTI(共模瞬�(tài)抗擾度)使其非常適合高頻�(yīng)��

參數(shù)

工作電壓�4.5V � 20V
  峰值輸出電流:±4A
  傳播延遲�30ns(典型值)
  輸入電容�6nF(最大值)
  工作溫度范圍�-40°C � +125°C
  封裝形式:SOIC-8
  邏輯輸入兼容性:TTL � CMOS
  �(guān)斷時(shí)間:20ns(典型值)
  開啟�(shí)間:25ns(典型值)

特�

MC100EPT24DR2G 提供了高性能� MOSFET 柵極�(qū)�(dòng)能力,其主要特性如下:
  1. 支持高達(dá) ±4A 的峰值輸出電�,可�(qū)�(dòng)大容量的功率 MOSFET�
  2. �(nèi)置短路保�(hù)和過溫保�(hù)功能,提高系�(tǒng)�(wěn)定��
  3. 具備�(yōu)秀的抗噪聲能力,適合惡劣電磁環(huán)境下的應(yīng)用�
  4. 工作電壓范圍廣(4.5V � 20V�,適�(yīng)多種供電�(chǎng)景�
  5. 快速的開關(guān)速度,減少開�(guān)損耗并支持高頻操作�
  6. TTL � CMOS 輸入兼容,簡(jiǎn)化數(shù)字接口設(shè)�(jì)�
  7. 封裝緊湊,便� PCB 布局�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

MC100EPT24DR2G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率 MOSFET �(qū)�(dòng)�
  2. 電機(jī)控制和逆變器電路中作為柵極�(qū)�(dòng)��
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的繼電器�(qū)�(dòng)和信�(hào)放大�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 通信�(shè)備中的高效功率傳輸模��
  6. LED 照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)�(dòng)控制�
  由于其強(qiáng)大的�(qū)�(dòng)能力和多樣的保護(hù)�(jī)�,這款芯片在需要快速響�(yīng)和高可靠性的�(chǎng)景下表現(xiàn)出色�

替代型號(hào)

MC33152, FAN7382, IR2110

mc100ept24dr2g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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mc100ept24dr2g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭邏輯 - 變換�
  • 系列100EPT
  • 邏輯功能變換�
  • 位數(shù)1
  • 輸入類型LVCMOS,LVTTL
  • 輸出類型LVECL
  • �(shù)�(jù)速率-
  • 通道�(shù)1
  • 輸出/通道�(shù)�1
  • 差分 - 輸入:輸出�/�
  • 傳輸延遲(最大)0.8ns
  • 電源電壓3 V ~ 3.6 V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)