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MCR25TZHFC1R3D 發(fā)布時間 時間:2025/5/30 21:22:52 查看 閱讀:13

MCR25TZHFC1R3D 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體管,適用于高頻開關電源、DC-DC轉換器和逆變器等應用。該器件采用了先進的封裝工藝,具有低導通電阻和高開關速度的特點,能夠顯著提升系統(tǒng)效率并減小整體尺寸。
  這款 GaN 功率晶體管通過優(yōu)化的柵極驅動設計實現了更高的可靠性和更寬的工作電壓范圍,非常適合需要高性能和高效率的應用場景。

參數

類型:增強型場效應晶體管
  最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流:25A
  導通電阻:1.3mΩ
  柵極電荷:80nC
  開關頻率:最高 5MHz
  封裝形式:TO-247-4L
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

MCR25TZHFC1R3D 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻(1.3mΩ),可以有效降低傳導損耗。
  2. 高頻開關能力(高達 5MHz),支持小型化磁性元件設計。
  3. 內置保護功能,如過流保護和短路保護,增強了器件的可靠性。
  4. 具有快速恢復體二極管,減少開關損耗。
  5. 支持零電壓開關(ZVS)操作,進一步提升效率。
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
  由于這些特性,該器件特別適合用于高效率、高密度的電力電子系統(tǒng)中。

應用

MCR25TZHFC1R3D 廣泛應用于以下領域:
  1. 數據中心服務器電源(SMPS)。
  2. 電動汽車充電設備(EVSE)。
  3. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)。
  4. 工業(yè)用 DC-DC 轉換器。
  5. 消費類快充適配器。
  6. 無線電源傳輸模塊。
  其高效率和高頻性能使得該器件成為現代電力電子設備的理想選擇。

替代型號

MCR25TQHFC1R5D, MCR20TZHFC1R8D

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