時間：2025/5/30 21:22:52
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MCR25TZHFC1R3D 是一款基于氮化鎵（GaN）技術的高效功率晶體管，適用于高頻開關電源、DC-DC轉換器和逆變器等應用。該器件采用了先進的封裝工藝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，能夠顯著提升系統(tǒng)效率并減小整體尺寸。
這款 GaN 功率晶體管通過優(yōu)化的柵極驅動設計實現了更高的可靠性和更寬的工作電壓范圍，非常適合需要高性能和高效率的應用場景。
類型：增強型場效應晶體管
最大漏源電壓：600V
連續(xù)漏極電流：25A
導通電阻：1.3mΩ
柵極電荷：80nC
開關頻率：最高 5MHz
封裝形式：TO-247-4L
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
MCR25TZHFC1R3D 的主要特性包括：
1. 極低的導通電阻（1.3mΩ），可以有效降低傳導損耗。
2. 高頻開關能力（高達 5MHz），支持小型化磁性元件設計。
3. 內置保護功能，如過流保護和短路保護，增強了器件的可靠性。
4. 具有快速恢復體二極管，減少開關損耗。
5. 支持零電壓開關（ZVS）操作，進一步提升效率。
6. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
由于這些特性，該器件特別適合用于高效率、高密度的電力電子系統(tǒng)中。
MCR25TZHFC1R3D 廣泛應用于以下領域：
1. 數據中心服務器電源（SMPS）。
2. 電動汽車充電設備（EVSE）。
3. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)。
4. 工業(yè)用 DC-DC 轉換器。
5. 消費類快充適配器。
6. 無線電源傳輸模塊。
其高效率和高頻性能使得該器件成為現代電力電子設備的理想選擇。
MCR25TQHFC1R5D, MCR20TZHFC1R8D
