MCR25TZHFC1R3D 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體�,適用于高頻開關電源、DC-DC轉換器和逆變器等應用。該器件采用了先進的封裝工藝,具有低導通電阻和高開關速度的特�,能夠顯著提升系�(tǒng)效率并減小整體尺寸�
這款 GaN 功率晶體管通過�(yōu)化的柵極驅動設計實現了更高的可靠性和更寬的工作電壓范�,非常適合需要高性能和高效率的應用場��
類型:增強型場效應晶體管
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�25A
導通電阻:1.3mΩ
柵極電荷�80nC
開關頻率:最� 5MHz
封裝形式:TO-247-4L
工作溫度范圍�-55� � +175�
MCR25TZHFC1R3D 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(1.3mΩ�,可以有效降低傳導損��
2. 高頻開關能力(高� 5MHz�,支持小型化磁性元件設計�
3. 內置保護功能,如過流保護和短路保�,增強了器件的可靠��
4. 具有快速恢復體二極管,減少開關損��
5. 支持零電壓開關(ZVS)操�,進一步提升效��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
由于這些特�,該器件特別適合用于高效率、高密度的電力電子系�(tǒng)��
MCR25TZHFC1R3D 廣泛應用于以下領域:
1. 數據中心服務器電源(SMPS)�
2. 電動汽車充電設備(EVSE��
3. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)�
4. 工業(yè)� DC-DC 轉換��
5. 消費類快充適配器�
6. 無線電源傳輸模塊�
其高效率和高頻性能使得該器件成為現代電力電子設備的理想選擇�
MCR25TQHFC1R5D, MCR20TZHFC1R8D