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MD27128A-30/B 發(fā)布時間 時間:2025/5/31 2:24:44 查看 閱讀:14

MD27128A-30/B 是一款高性能、低功耗的靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM),適用于需要高速數(shù)據(jù)訪問和可靠性能的各種應(yīng)用。該芯片采用先進(jìn)的CMOS工藝制造,具有快速讀寫速度和較低的功耗特性,非常適合在工業(yè)控制、通信設(shè)備、消費電子以及嵌入式系統(tǒng)中使用。
  MD27128A-30/B 提供了 27 x 128 的存儲容量,總共 3456 位的數(shù)據(jù)存儲空間,并支持多種輸入輸出電壓范圍,從而滿足不同場景下的需求。此外,該芯片還具備出色的抗干擾能力,確保其能夠在復(fù)雜電磁環(huán)境中穩(wěn)定運行。

參數(shù)

存儲容量:3456位
  組織方式:27 x 128
  工作電壓:4.5V 至 5.5V
  讀寫時間:30ns
  封裝形式:DIP、SOIC
  工作溫度范圍:-40℃ 至 +85℃
  I/O 電壓:4.5V 至 5.5V
  靜態(tài)電流:5μA(典型值)

特性

MD27128A-30/B 的主要特性包括:
  1. 高速讀寫能力:能夠?qū)崿F(xiàn) 30 納秒級別的訪問速度,適合對實時性要求較高的應(yīng)用環(huán)境。
  2. 低功耗設(shè)計:即使在高頻操作下也能保持較低的功耗水平,靜態(tài)電流僅為 5 微安。
  3. 寬工作溫度范圍:支持從 -40°C 到 +85°C 的工業(yè)級溫度區(qū)間,確保芯片在極端條件下的可靠性。
  4. 可靠的數(shù)據(jù)保持功能:斷電后不會丟失已存儲的數(shù)據(jù),保證信息完整性。
  5. 多種封裝選項:提供 DIP 和 SOIC 等不同封裝形式,便于根據(jù)實際需求選擇合適的安裝方式。

應(yīng)用

MD27128A-30/B 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 工業(yè)自動化:用于可編程邏輯控制器(PLC)、數(shù)據(jù)采集模塊等設(shè)備中的臨時數(shù)據(jù)緩存。
  2. 通信設(shè)備:作為網(wǎng)絡(luò)路由器、交換機等硬件中的高速緩沖存儲器。
  3. 消費類電子產(chǎn)品:例如數(shù)碼相機、打印機等需要快速響應(yīng)的應(yīng)用場合。
  4. 嵌入式系統(tǒng):為微控制器或處理器提供額外的高速存儲擴(kuò)展,以提高整體性能。

替代型號

MD27C128A-30, CY62256LL-30SVI, IS61LV256AL-30B

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