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MD82C86H-5/883 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/3/31 11:51:07 查看 閱讀：56

MD82C86H-5/883 是一種高性能的 CMOS 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM），專(zhuān)為需要高可靠性和低功耗的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該芯片符合軍用級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，能夠在極端溫度和惡劣環(huán)境下保持穩(wěn)定運(yùn)行。它通常用于航空航天、軍工以及高端工業(yè)控制系統(tǒng)等領(lǐng)域。
　　該型號(hào)基于成熟的 SRAM 技術(shù)，具有快速訪問(wèn)時(shí)間、低功耗特性和高數(shù)據(jù)保持能力。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)采用六晶體管單元設(shè)計(jì)，確保數(shù)據(jù)在斷電后不會(huì)保留，非常適合需要即時(shí)刷新或高速讀寫(xiě)的場(chǎng)景。

參數(shù)

封裝：DIP42
　　容量：128K x 8 bits (1MB)
　　訪問(wèn)時(shí)間：5ns
　　工作電壓：5V
　　功耗：200mW（典型值）
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +125°C
　　引腳數(shù)：42
　　數(shù)據(jù)保持時(shí)間：無(wú)限（供電條件下）

特性

1. 軍用級(jí)可靠性：滿足 MIL-PRF-38535 標(biāo)準(zhǔn)，適用于極端環(huán)境。
　　2. 快速訪問(wèn)時(shí)間：5ns 的典型訪問(wèn)時(shí)間使其適合高速數(shù)據(jù)處理應(yīng)用。
　　3. 高密度存儲(chǔ)：提供 1MB 的存儲(chǔ)容量，適合復(fù)雜系統(tǒng)中的緩存和臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
　　4. 寬溫操作：能夠在 -55°C 至 +125°C 的溫度范圍內(nèi)正常工作。
　　5. 低功耗設(shè)計(jì)：即使在高頻運(yùn)行下也能保持較低的功耗水平。
　　6. 靜電放電保護(hù)：內(nèi)置 ESD 保護(hù)電路，增強(qiáng)芯片的抗干擾能力。

應(yīng)用

1. 航空航天：如衛(wèi)星、飛行器中的導(dǎo)航與控制模塊。
　　2. 軍事裝備：雷達(dá)系統(tǒng)、通信設(shè)備及武器制導(dǎo)裝置。
　　3. 工業(yè)自動(dòng)化：高端 PLC、數(shù)控機(jī)床和其他實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)。
　　4. 醫(yī)療設(shè)備：需要高精度和可靠性的診斷儀器。
　　5. 科學(xué)研究：粒子加速器、天文望遠(yuǎn)鏡等大型科學(xué)儀器的數(shù)據(jù)采集與處理部分。

替代型號(hào)

MD82C86H-10/883, CY7C1049AV33-10JC, IDT7128BM5J-10

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