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MD82C86H-5/883 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/3/31 11:51:07 查看 閱讀:56

MD82C86H-5/883 是一種高性能的 CMOS 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM),專(zhuān)為需要高可靠性和低功耗的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該芯片符合軍用級(jí)標(biāo)準(zhǔn),能夠在極端溫度和惡劣環(huán)境下保持穩(wěn)定運(yùn)行。它通常用于航空航天、軍工以及高端工業(yè)控制系統(tǒng)等領(lǐng)域。
  該型號(hào)基于成熟的 SRAM 技術(shù),具有快速訪問(wèn)時(shí)間、低功耗特性和高數(shù)據(jù)保持能力。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)采用六晶體管單元設(shè)計(jì),確保數(shù)據(jù)在斷電后不會(huì)保留,非常適合需要即時(shí)刷新或高速讀寫(xiě)的場(chǎng)景。

參數(shù)

封裝:DIP42
  容量:128K x 8 bits (1MB)
  訪問(wèn)時(shí)間:5ns
  工作電壓:5V
  功耗:200mW(典型值)
  工作溫度范圍:-55°C 至 +125°C
  引腳數(shù):42
  數(shù)據(jù)保持時(shí)間:無(wú)限(供電條件下)

特性

1. 軍用級(jí)可靠性:滿足 MIL-PRF-38535 標(biāo)準(zhǔn),適用于極端環(huán)境。
  2. 快速訪問(wèn)時(shí)間:5ns 的典型訪問(wèn)時(shí)間使其適合高速數(shù)據(jù)處理應(yīng)用。
  3. 高密度存儲(chǔ):提供 1MB 的存儲(chǔ)容量,適合復(fù)雜系統(tǒng)中的緩存和臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
  4. 寬溫操作:能夠在 -55°C 至 +125°C 的溫度范圍內(nèi)正常工作。
  5. 低功耗設(shè)計(jì):即使在高頻運(yùn)行下也能保持較低的功耗水平。
  6. 靜電放電保護(hù):內(nèi)置 ESD 保護(hù)電路,增強(qiáng)芯片的抗干擾能力。

應(yīng)用

1. 航空航天:如衛(wèi)星、飛行器中的導(dǎo)航與控制模塊。
  2. 軍事裝備:雷達(dá)系統(tǒng)、通信設(shè)備及武器制導(dǎo)裝置。
  3. 工業(yè)自動(dòng)化:高端 PLC、數(shù)控機(jī)床和其他實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)。
  4. 醫(yī)療設(shè)備:需要高精度和可靠性的診斷儀器。
  5. 科學(xué)研究:粒子加速器、天文望遠(yuǎn)鏡等大型科學(xué)儀器的數(shù)據(jù)采集與處理部分。

替代型號(hào)

MD82C86H-10/883, CY7C1049AV33-10JC, IDT7128BM5J-10

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