MDD1501RH是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用TO-252封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適用于各種功率�(zhuǎn)換和�(fù)載切換場��
其主要功能是作為電子開關(guān)或放大器使用,在電源管理、電機驅(qū)動和信號�(diào)節(jié)等場合表�(xiàn)�(yōu)��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�2.9A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.085Ω
柵極閾值電壓:1.5V~3.5V
總功耗:1.6W
工作溫度范圍�-55℃~150�
MDD1501RH具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,非常適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
3. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常情況下的魯棒性�
4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品制造要求�
5. 小巧的TO-252封裝形式,節(jié)省電路板空間�
MDD1501RH廣泛�(yīng)用于多個領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和DC-DC�(zhuǎn)��
2. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和保護電��
3. 消費類電子產(chǎn)品中的電源管理和電機控制�
4. LED�(qū)動器中用于調(diào)光和�(diào)壓控��
5. 各種工業(yè)自動化和通信�(shè)備中的信號處理與功率�(diào)節(jié)�
MDD1501RLH, MDD1502RH