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時(shí)間：2025/3/31 11:50:54
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MDD312-12N1 是一款高性能的 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），屬于 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載切換以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。其設(shè)計(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，從而實(shí)現(xiàn)更高的效率和更低的功耗。
該芯片采用 TO-252 封裝形式，具有良好的散熱特性和緊湊的尺寸，適合多種工業(yè)及消費(fèi)類電子應(yīng)用。
最大漏源電壓：12V
連續(xù)漏極電流：40A
導(dǎo)通電阻：1.5mΩ
柵極電荷：35nC
開關(guān)時(shí)間：ton=10ns, toff=15ns
工作結(jié)溫范圍：-55℃至+150℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻，能夠減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 快速的開關(guān)速度，適用于高頻開關(guān)應(yīng)用，降低開關(guān)損耗。
3. 高電流承載能力，支持大功率負(fù)載。
4. 緊湊的封裝設(shè)計(jì)，節(jié)省電路板空間。
5. 良好的熱穩(wěn)定性，能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛材料制造。
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的功率開關(guān)。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流元件。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)開關(guān)。
4. 電池保護(hù)電路中的負(fù)載開關(guān)。
5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效功率管理單元。
IRFZ44N, STP40NF06L, FQP17N12
