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MDFN2C051V 發(fā)布時間 時間�2025/5/28 8:50:59 查看 閱讀�16

MDFN2C051V 是一款高性能的功� MOSFET,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�,主要用于需要高效能和低功耗的�(yīng)用場�。該器件屬于 N 沱道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管,廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�、負(fù)載開�(guān)等領(lǐng)域。其封裝形式為緊湊型 PDFN3x3-8,適合高密度電路板布局�
  該芯片具備較低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)),從而在高頻切換時減少功率損�,同時提供出色的熱性能和電氣穩(wěn)定性�

參數(shù)

類型:N 漚道 MOSFET
  Vgs(th)�0.7 V � 2.5 V
  Rds(on)�4.5 mΩ(典型�,在 Vgs=10V 時)
  漏極電流(Id):96 A(脈沖)/ 36 A(連續(xù)�
  擊穿電壓(BVDSS):50 V
  柵極電荷(Qg):14 nC
  總功耗(Ptot):2.2 W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

MDFN2C051V 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),能夠有效降低傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 高電流處理能�,支持高�(dá) 96 A 的脈沖漏極電流和 36 A 的連續(xù)漏極電流�
  3. 小巧� PDFN3x3-8 封裝形式,有助于節(jié)� PCB 空間,并且具備良好的散熱性能�
  4. 寬泛的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行�
  5. 快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損耗,適用于高頻應(yīng)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)��
  7. �(nèi)� ESD 保護(hù)�(jié)�(gòu)增強(qiáng)了器件的可靠性�

�(yīng)�

MDFN2C051V 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
  2. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  3. 消費(fèi)電子�(shè)備中的電�(jī)�(qū)動和電源管理�
  4. 工業(yè)自動化控制中的繼電器替代和開�(guān)�(yīng)��
  5. 汽車電子中的電池接口和保�(hù)電路�
  6. 電信�(shè)備中的高效電源轉(zhuǎn)換模��
  7. 多種便攜式設(shè)備中的充電管理電路�

替代型號

MDFN2C050V, MDFN2C052V

mdfn2c051v推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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