MDP4N60TH是一款N溝道功率MOSFET,。它專為高頻開關(guān)�(yīng)用設(shè)�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn)。該器件廣泛用于電源管理、電�(jī)�(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。其耐壓能力�(dá)�600V,適用于需要高壓支持的電路�(huán)境�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�4A
�(dǎo)通電阻:3.8Ω(典型�,在Vgs=10V時)
柵極電荷�15nC(最大值)
總功耗:75W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
MDP4N60TH具有以下主要特性:
1. 高擊穿電�,確保在高壓條件下可靠運(yùn)��
2. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高效率�
3. 快速開�(guān)性能,適合高頻開�(guān)�(yīng)��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在寬溫度范圍內(nèi)正常工作�
5. 具備雪崩能量處理能力,增�(qiáng)器件的魯棒��
6. 小型化封裝設(shè)計,便于安裝和散熱管��
MDP4N60TH適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. 逆變器和電機(jī)�(qū)動電路中的功率級控制�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整流開�(guān)�
4. 電池保護(hù)電路中的電子保險��
5. 各種工業(yè)控制�(shè)備中的高壓開�(guān)元件�
IRF640N
FDP5800
STP4NB60Z