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MDP4N60TH 發(fā)布時間 時間�2025/6/9 9:23:15 查看 閱讀�5

MDP4N60TH是一款N溝道功率MOSFET,。它專為高頻開關(guān)�(yīng)用設(shè)�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn)。該器件廣泛用于電源管理、電�(jī)�(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。其耐壓能力�(dá)�600V,適用于需要高壓支持的電路�(huán)境�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�4A
  �(dǎo)通電阻:3.8Ω(典型�,在Vgs=10V時)
  柵極電荷�15nC(最大值)
  總功耗:75W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�

特�

MDP4N60TH具有以下主要特性:
  1. 高擊穿電�,確保在高壓條件下可靠運(yùn)��
  2. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高效率�
  3. 快速開�(guān)性能,適合高頻開�(guān)�(yīng)��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在寬溫度范圍內(nèi)正常工作�
  5. 具備雪崩能量處理能力,增�(qiáng)器件的魯棒��
  6. 小型化封裝設(shè)計,便于安裝和散熱管��

�(yīng)�

MDP4N60TH適用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
  2. 逆變器和電機(jī)�(qū)動電路中的功率級控制�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整流開�(guān)�
  4. 電池保護(hù)電路中的電子保險��
  5. 各種工業(yè)控制�(shè)備中的高壓開�(guān)元件�

替代型號

IRF640N
  FDP5800
  STP4NB60Z

mdp4n60th推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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