ME35N06G是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱穩(wěn)定�。其主要�(yīng)用領(lǐng)域包括開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種功率控制電路。ME35N06G支持高達(dá)60V的工作電�,同�(shí)具備較低的柵極電�,非常適合高頻應(yīng)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�18A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷(典型值)�17nC
輸入電容�1250pF
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-220
總功耗:20W
ME35N06G的核心特�(diǎn)是其出色的電氣性能和可靠�。它具備以下顯著�(yōu)�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電�,在滿載條件下可有效降低功率損��
2. 高速開�(guān)能力,得益于較小的柵極電�,使得該器件在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)卓越�
3. 良好的熱�(wěn)定�,能夠承受高溫環(huán)境,適合工業(yè)�(jí)和汽車級(jí)�(yīng)��
4. �(nèi)置反向二極管功能,簡化了電路�(shè)�(jì)并增�(qiáng)了系�(tǒng)的保�(hù)性能�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),確保環(huán)保合�(guī)性�
這些特性共同保證了ME35N06G在效�、可靠性和成本效益方面的優(yōu)越表�(xiàn)�
ME35N06G廣泛�(yīng)用于需要高效功率管理的�(chǎng)�,包括但不限于:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,例如適配器和充電器�
2. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器,如降壓或升壓轉(zhuǎn)換電��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制,特別是小型直流電機(jī)或步�(jìn)電機(jī)�
4. 照明系統(tǒng)中的電子�(zhèn)流器和LED�(qū)�(dòng)��
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS),用于保護(hù)和優(yōu)化電池充放電過程�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
其高性能特點(diǎn)使其成為眾多功率�(zhuǎn)換與控制�(yīng)用的理想選擇�
ME35N06L, IRF3205, AO3400