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ME50N10 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 18:12:41 查看 閱讀�9

ME50N10是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用中。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其成為高效功率管理的理想選擇。該型號(hào)由東芝(Toshiba)生�(chǎn),適用于多種工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品�

參數(shù)

最大漏源電壓:50V
  最大連續(xù)漏極電流�10A
  最大柵源電壓:±20V
  �(dǎo)通電阻(典型值)�8.5mΩ
  總功耗:10W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

ME50N10具備以下特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少功率損耗并提高效率�
  2. 高電流處理能�,支持高�(dá)10A的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用�
  4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在寬溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)��
  5. 小型封裝�(shè)�(jì),便于在緊湊空間�(nèi)�(jìn)行布局�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的使用需求�

�(yīng)�

該MOSFET適用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源中的主開�(guān)元件�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或降�/升壓控制�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
  4. �(fù)載開�(guān)以實(shí)�(xiàn)快速通斷功能�
  5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電保�(hù)電路�
  6. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率切換與控制模塊�

替代型號(hào)

ME50N02,
  IRF540N,
  FDP55N10,
  AO3400

me50n10推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)