ME50N10 時(shí)間：2025/6/4 18:12:41 閱讀：9

ME50N10是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用中。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其成為高效功率管理的理想選擇。該型號(hào)由東芝（Toshiba）生產(chǎn)，適用于多種工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品。

參數(shù)

最大漏源電壓：50V
　　最大連續(xù)漏極電流：10A
　　最大柵源電壓：±20V
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：8.5mΩ
　　總功耗：10W
　　工作溫度范圍：-55℃至+150℃

特性

ME50N10具備以下特點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于減少功率損耗并提高效率。
　　2. 高電流處理能力，支持高達(dá)10A的連續(xù)漏極電流。
　　3. 快速開關(guān)速度，適合高頻應(yīng)用。
　　4. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，能夠在寬溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
　　5. 小型封裝設(shè)計(jì)，便于在緊湊空間內(nèi)進(jìn)行布局。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的使用需求。

應(yīng)用

該MOSFET適用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源中的主開關(guān)元件。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流或降壓/升壓控制。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
　　4. 負(fù)載開關(guān)以實(shí)現(xiàn)快速通斷功能。
　　5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電保護(hù)電路。
　　6. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率切換與控制模塊。