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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > ME60N03

ME60N03 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 12:05:14 查看 閱讀�26

ME60N03是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。它廣泛應用于功率轉(zhuǎn)�、電機驅(qū)�、負載開關等場景,適合中低壓應用�(huán)�。這款器件具有低導通電阻和快速開關性能,能夠顯著降低功耗并提高效率。其封裝形式為TO-252(DPAK�,便于表面貼裝工��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�8A
  導通電阻(典型值)�15mΩ
  柵極電荷�15nC
  總電容(輸入、輸�、反向傳輸)�700pF
  工作溫度范圍�-55� to +150�
  熱阻(結到外殼)�40°C/W

特�

ME60N03的主要特性包括:
  1. 低導通電阻(Rds(on)�,可以有效減少傳導損��
  2. 快速開關速度,有助于降低開關損��
  3. 高雪崩擊穿能�,增強了器件在異常條件下的耐用性�
  4. 具備較低的柵極電荷(Qg�,使得驅(qū)動電路更加簡單且高效�
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設計�
  6. TO-252小型化封�,適合高密度PCB布局�

應用

該芯片適用于以下領域�
  1. 開關電源(SMPS)中的同步整流器�
  2. 直流/直流�(zhuǎn)換器中的功率開關�
  3. 電機控制與驅(qū)動電��
  4. 各類負載開關及保護電路�
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的低邊開關應用�
  6. 可攜式設備電池管理模塊�

替代型號

IRF540N, FDN337N, SI4473DY

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