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ME6118A50B3G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/30 13:43:31 查看 閱讀:30

ME6118A50B3G是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高效能功率晶體管,適用于高頻、高效率電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。該器件采用先進(jìn)的GaN-on-Silicon制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,可顯著提高系統(tǒng)效率并減小整體設(shè)計(jì)尺寸。
  該型號(hào)是兆易創(chuàng)新(GigaDevice)推出的高性能產(chǎn)品之一,廣泛應(yīng)用于快充適配器、無(wú)線(xiàn)充電設(shè)備、數(shù)據(jù)中心電源等領(lǐng)域。

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流:2.6A
  導(dǎo)通電阻:50mΩ
  柵極電荷:45nC
  反向恢復(fù)時(shí)間:無(wú)
  工作溫度范圍:-55℃至+150℃
  封裝形式:TO-252

特性

ME6118A50B3G的核心優(yōu)勢(shì)在于其利用氮化鎵材料帶來(lái)的卓越性能:
  1. 高開(kāi)關(guān)頻率支持,可達(dá)數(shù)MHz,能夠減少磁性元件體積,從而降低系統(tǒng)成本。
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在大電流應(yīng)用中可有效減少功耗。
  3. 內(nèi)置優(yōu)化的驅(qū)動(dòng)電路,簡(jiǎn)化了外圍設(shè)計(jì)復(fù)雜度。
  4. 具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性,在高溫環(huán)境下依然可以保持穩(wěn)定的電氣性能。
  5. 封裝緊湊,易于集成到各類(lèi)高密度設(shè)計(jì)中。

應(yīng)用

這款芯片主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. USB PD快充適配器:
   ME6118A50B3G因其高頻特性和低損耗非常適合于新一代小型化、輕量化快充方案。
  2. 數(shù)據(jù)中心電源:
   在服務(wù)器電源模塊中,其高效的能量轉(zhuǎn)換能力有助于降低運(yùn)營(yíng)成本。
  3. 無(wú)線(xiàn)充電發(fā)射端:
   支持更高頻率的工作環(huán)境,滿(mǎn)足無(wú)線(xiàn)充電對(duì)快速響應(yīng)的需求。
  4. LED驅(qū)動(dòng)電源:
   提供穩(wěn)定輸出的同時(shí)還能提升能源利用率。

替代型號(hào)

ME6118A50B2G
  ME6118A50B4G

me6118a50b3g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝/批號(hào)
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