ME6118A50B3G是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效能功率晶體�,適用于高頻、高效率電源�(zhuǎn)換場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的GaN-on-Silicon制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,可顯著提高系統(tǒng)效率并減小整體設(shè)�(jì)尺寸�
該型�(hào)是兆易創(chuàng)新(GigaDevice)推出的高性能�(chǎn)品之一,廣泛應(yīng)用于快充適配器、無(wú)�(xiàn)充電�(shè)�、數(shù)�(jù)中心電源等領(lǐng)域�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�2.6A
�(dǎo)通電阻:50mΩ
柵極電荷�45nC
反向恢復(fù)�(shí)間:�(wú)
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝形式:TO-252
ME6118A50B3G的核心優(yōu)�(shì)在于其利用氮化鎵材料帶來(lái)的卓越性能�
1. 高開(kāi)�(guān)頻率支持,可�(dá)�(shù)MHz,能夠減少磁性元件體�,從而降低系�(tǒng)成本�
2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在大電流�(yīng)用中可有效減少功��
3. �(nèi)置優(yōu)化的�(qū)�(dòng)電路,簡(jiǎn)化了外圍�(shè)�(jì)�(fù)雜度�
4. 具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,在高溫�(huán)境下依然可以保持�(wěn)定的電氣性能�
5. 封裝緊湊,易于集成到各類(lèi)高密度設(shè)�(jì)中�
這款芯片主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. USB PD快充適配器:
ME6118A50B3G因其高頻特性和低損耗非常適合于新一代小型化、輕量化快充方案�
2. �(shù)�(jù)中心電源�
在服�(wù)器電源模塊中,其高效的能量轉(zhuǎn)換能力有助于降低�(yùn)�(yíng)成本�
3. �(wú)�(xiàn)充電�(fā)射端�
支持更高頻率的工作環(huán)�,滿(mǎn)足無(wú)�(xiàn)充電�(duì)快速響�(yīng)的需��
4. LED�(qū)�(dòng)電源�
提供�(wěn)定輸出的同時(shí)還能提升能源利用��
ME6118A50B2G
ME6118A50B4G