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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > ME6118A50B3G

ME6118A50B3G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 13:43:31 查看 閱讀�30

ME6118A50B3G是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效能功率晶體�,適用于高頻、高效率電源�(zhuǎn)換場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的GaN-on-Silicon制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,可顯著提高系統(tǒng)效率并減小整體設(shè)�(jì)尺寸�
  該型�(hào)是兆易創(chuàng)新(GigaDevice)推出的高性能�(chǎn)品之一,廣泛應(yīng)用于快充適配器、無(wú)�(xiàn)充電�(shè)�、數(shù)�(jù)中心電源等領(lǐng)域�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�2.6A
  �(dǎo)通電阻:50mΩ
  柵極電荷�45nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:�(wú)
  工作溫度范圍�-55℃至+150�
  封裝形式:TO-252

特�

ME6118A50B3G的核心優(yōu)�(shì)在于其利用氮化鎵材料帶來(lái)的卓越性能�
  1. 高開(kāi)�(guān)頻率支持,可�(dá)�(shù)MHz,能夠減少磁性元件體�,從而降低系�(tǒng)成本�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在大電流�(yīng)用中可有效減少功��
  3. �(nèi)置優(yōu)化的�(qū)�(dòng)電路,簡(jiǎn)化了外圍�(shè)�(jì)�(fù)雜度�
  4. 具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,在高溫�(huán)境下依然可以保持�(wěn)定的電氣性能�
  5. 封裝緊湊,易于集成到各類(lèi)高密度設(shè)�(jì)中�

�(yīng)�

這款芯片主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. USB PD快充適配器:
   ME6118A50B3G因其高頻特性和低損耗非常適合于新一代小型化、輕量化快充方案�
  2. �(shù)�(jù)中心電源�
   在服�(wù)器電源模塊中,其高效的能量轉(zhuǎn)換能力有助于降低�(yùn)�(yíng)成本�
  3. �(wú)�(xiàn)充電�(fā)射端�
   支持更高頻率的工作環(huán)�,滿(mǎn)足無(wú)�(xiàn)充電�(duì)快速響�(yīng)的需��
  4. LED�(qū)�(dòng)電源�
   提供�(wěn)定輸出的同時(shí)還能提升能源利用��

替代型號(hào)

ME6118A50B2G
  ME6118A50B4G

me6118a50b3g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)