ME6209A40PG 是一款由 ME 系列推出的高壓功率 MOSFET,適用于多種高電壓、大電流的應(yīng)用場(chǎng)景。該芯片采用先進(jìn)的工藝制程,具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,從而有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。其封裝形式為 PG-TO252,適合表面貼裝,便于自動(dòng)化生產(chǎn)。
型號(hào):ME6209A40PG
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds):650V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
最大漏極電流(Id):9.4A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):400mΩ(典型值,在 Vgs=10V 時(shí))
功耗(Ptot):230W
工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃
封裝:PG-TO252
ME6209A40PG 具備出色的性能特點(diǎn),主要體現(xiàn)在以下方面:
1. 高耐壓能力:高達(dá) 650V 的漏源電壓使其能夠在高壓環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行。
2. 快速開(kāi)關(guān)速度:由于采用了優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),其開(kāi)關(guān)速度較快,降低了開(kāi)關(guān)損耗。
3. 低導(dǎo)通電阻:在典型條件下,導(dǎo)通電阻僅為 400mΩ,從而減少了傳導(dǎo)損耗。
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠適應(yīng)寬泛的工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境下的可靠性。
5. 封裝緊湊:PG-TO252 封裝形式具有良好的散熱性能,同時(shí)支持表面貼裝技術(shù) (SMT),簡(jiǎn)化了制造流程。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn):環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì),滿足現(xiàn)代工業(yè)對(duì)綠色產(chǎn)品的嚴(yán)格要求。
ME6209A40PG 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS):包括 AC-DC 轉(zhuǎn)換器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):用于控制各類直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)。
3. 逆變器:如太陽(yáng)能逆變器或其他電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。
4. PFC (功率因數(shù)校正) 電路:提升功率因數(shù),減少諧波失真。
5. LED 驅(qū)動(dòng)器:為高亮度 LED 提供穩(wěn)定電源。
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:例如 PLC 控制模塊、伺服控制器等。
7. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如家用電器、充電器等需要高壓開(kāi)關(guān)器件的場(chǎng)合。
ME6208A40PG, IRF840, STP90NF06L