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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > ME6211C18R5G

ME6211C18R5G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 0:46:43 查看 閱讀�14

ME6211C18R5G是一款由Vishay生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用TO-252(DPAK)封裝,適用于各種�(kāi)�(guān)和功率管理應(yīng)�。其低導(dǎo)通電�(Rds(on))特性使其在高效能電源轉(zhuǎn)�、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)景中表現(xiàn)出色�
  這款MOSFET的設(shè)�(jì)目標(biāo)是提供卓越的電氣性能,同�(shí)保持高可靠性和�(wěn)定�,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制及通信�(shè)備領(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�7.9A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�18mΩ
  總功�(Ptot)�2.3W
  工作溫度范圍(Ta)�-55°C to +175°C
  封裝類型:TO-252(DPAK)
  邏輯電平兼容:是

特�

ME6211C18R5G具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電�(Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 較高的連續(xù)漏極電流(Id),能夠支持大功率�(yīng)��
  3. 廣泛的工作溫度范�(-55°C�+175°C),適�(yīng)多種�(huán)境條��
  4. 采用DPAK封裝,便于表面貼裝,�(jiǎn)化了PCB�(shè)�(jì)與生�(chǎn)流程�
  5. 具備邏輯電平兼容�,可直接與標(biāo)�(zhǔn)�(shù)字電路接�,無(wú)需額外的驅(qū)�(dòng)電路�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì),滿足現(xiàn)代綠色電子產(chǎn)品的要求�

�(yīng)�

ME6211C18R5G適合用于以下�(yīng)用場(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的�(kāi)�(guān)元件�
  3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控制電��
  5. 各類便攜式電子設(shè)備中的功率管理模��
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)隔離與驅(qū)�(dòng)�
  7. 通信�(shè)施中的電源保�(hù)與分��

替代型號(hào)

ME6211C18R5G-A, ME6211C18R5G-E3, IRF540N, FDP5800

me6211c18r5g推薦供應(yīng)� 更多>

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