ME6211C18R5G 時(shí)間：2025/5/30 0:46:43 閱讀：14

ME6211C18R5G是一款由Vishay生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件采用TO-252(DPAK)封裝，適用于各種開(kāi)關(guān)和功率管理應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻(Rds(on))特性使其在高效能電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景中表現(xiàn)出色。
　　這款MOSFET的設(shè)計(jì)目標(biāo)是提供卓越的電氣性能，同時(shí)保持高可靠性和穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制及通信設(shè)備領(lǐng)域。

參數(shù)

最大漏源電壓(Vds)：60V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：7.9A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：18mΩ
　　總功耗(Ptot)：2.3W
　　工作溫度范圍(Ta)：-55°C to +175°C
　　封裝類型：TO-252(DPAK)
　　邏輯電平兼容：是

特性

ME6211C18R5G具有以下顯著特點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))，有助于減少傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　2. 較高的連續(xù)漏極電流(Id)，能夠支持大功率應(yīng)用。
　　3. 廣泛的工作溫度范圍(-55°C至+175°C)，適應(yīng)多種環(huán)境條件。
　　4. 采用DPAK封裝，便于表面貼裝，簡(jiǎn)化了PCB設(shè)計(jì)與生產(chǎn)流程。
　　5. 具備邏輯電平兼容性，可直接與標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字電路接口，無(wú)需額外的驅(qū)動(dòng)電路。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)，滿足現(xiàn)代綠色電子產(chǎn)品的要求。

應(yīng)用

ME6211C18R5G適合用于以下應(yīng)用場(chǎng)景：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)元件。
　　3. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
　　4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制電路。
　　5. 各類便攜式電子設(shè)備中的功率管理模塊。
　　6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號(hào)隔離與驅(qū)動(dòng)。
　　7. 通信設(shè)施中的電源保護(hù)與分配。