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ME6214C28M5G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/6 12:48:45 查看 閱讀:7

ME6214C28M5G 是一款高性能的 DDR4 SDRAM 內(nèi)存顆粒,廣泛應(yīng)用于臺式電腦、筆記本電腦、服務(wù)器以及其他需要高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)碾娮釉O(shè)備中。該內(nèi)存顆粒采用先進(jìn)的制造工藝,具有低功耗和高穩(wěn)定性的特點(diǎn),能夠滿足現(xiàn)代計(jì)算對大容量和快速響應(yīng)的需求。
  DDR4(Double Data Rate 4)是第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器標(biāo)準(zhǔn),與前幾代相比,DDR4 提供更高的頻率、更低的工作電壓以及更優(yōu)的能效表現(xiàn)。

參數(shù)

類型:SDRAM
  接口:DDR4
  容量:4Gb (512MB x 8)
  組織:512M x 8
  工作電壓:1.2V
  速度:2800Mbps
  封裝形式:BGA
  引腳數(shù):78-ball
  溫度范圍:-40°C 至 +85°C
  數(shù)據(jù)寬度:x8
  CAS延遲:19, 20, 21, 22

特性

ME6214C28M5G 具備以下顯著特性:
  1. 高速數(shù)據(jù)傳輸:支持高達(dá) 2800 Mbps 的數(shù)據(jù)傳輸速率,確保系統(tǒng)運(yùn)行流暢。
  2. 節(jié)能設(shè)計(jì):工作電壓為 1.2V,相較于 DDR3 的 1.5V 更加節(jié)能。
  3. 穩(wěn)定性:內(nèi)置高級糾錯(cuò)機(jī)制,提高數(shù)據(jù)完整性和系統(tǒng)穩(wěn)定性。
  4. 小型化封裝:采用 BGA 封裝技術(shù),體積小巧,適合空間受限的應(yīng)用場景。
  5. 廣泛兼容性:適用于多種主流主板和設(shè)備平臺。
  6. 低延遲選項(xiàng):提供多種 CAS 延遲選擇以適應(yīng)不同應(yīng)用場景需求。
  7. 寬溫設(shè)計(jì):能夠在 -40°C 至 +85°C 的環(huán)境下穩(wěn)定工作,適應(yīng)惡劣環(huán)境。

應(yīng)用

ME6214C28M5G 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 臺式電腦和筆記本電腦內(nèi)存條。
  2. 工業(yè)級嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲模塊。
  3. 服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的大容量內(nèi)存擴(kuò)展。
  4. 游戲主機(jī)和其他高性能計(jì)算設(shè)備。
  5. 醫(yī)療設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備等需要高可靠性和高速度的場景。

替代型號

MT41K256M8HB-125 IT:A, K4B2G164QF-EGCF, IS43TR16512B-15B

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