ME80251V1-0000-A99 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電力電子應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能等特點(diǎn),能夠顯著提高電路效率并減少能量損耗。
該型號(hào)屬于增強(qiáng)型N溝道MOSFET,適合在高頻條件下工作,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品、工業(yè)設(shè)備以及汽車電子系統(tǒng)中。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:30A
導(dǎo)通電阻:2.5mΩ
柵極電荷:70nC
輸入電容:1200pF
工作溫度范圍:-55℃至175℃
ME80251V1-0000-A99 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在高電流條件下保持較低的功耗。
2. 快速開(kāi)關(guān)能力,支持高頻操作,有助于減小磁性元件體積和整體設(shè)計(jì)尺寸。
3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常情況下的耐受力。
4. 內(nèi)置反向恢復(fù)二極管,可有效降低開(kāi)關(guān)損耗。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保。
6. 優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì),確保良好的散熱性能,延長(zhǎng)使用壽命。
ME80251V1-0000-A99 廣泛應(yīng)用于以下場(chǎng)景:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)管。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的同步整流或降壓升壓控制。
3. 電動(dòng)工具和家用電器的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
4. 汽車電子系統(tǒng)的負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
6. LED照明驅(qū)動(dòng)器的高效功率管理部分。
ME80251V2-0000-B11
IRF840
FDP5500