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ME80N75T 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/20 19:12:05 查看 閱讀:21

ME80N75T是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率切換的場(chǎng)合。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度,能夠有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
  ME80N75T的設(shè)計(jì)旨在滿足高效率、高可靠性需求的應(yīng)用場(chǎng)景,其耐壓能力為75V,適合中低壓環(huán)境下的功率管理應(yīng)用。

參數(shù)

最大漏源電壓:75V
  連續(xù)漏極電流:80A
  導(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷:65nC
  開關(guān)時(shí)間:開啟時(shí)間25ns,關(guān)閉時(shí)間35ns
  工作結(jié)溫范圍:-55℃至175℃
  封裝形式:TO-247

特性

ME80N75T具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))使其非常適合于高電流應(yīng)用,減少功率損耗。
  2. 高額定電流(80A)和耐壓能力(75V),適用于多種工業(yè)及汽車電子場(chǎng)景。
  3. 快速開關(guān)特性,支持高頻操作,有助于設(shè)計(jì)更緊湊的電路。
  4. 優(yōu)化的柵極電荷,降低了驅(qū)動(dòng)功耗。
  5. 工作溫度范圍寬廣,適應(yīng)惡劣的工作環(huán)境。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
  7. 穩(wěn)定性和可靠性經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)試,確保長(zhǎng)期使用。

應(yīng)用

ME80N75T主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主功率開關(guān)或同步整流元件。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器,用于電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力汽車等新能源車輛的電池管理系統(tǒng)。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng),特別是在大功率直流電機(jī)控制中作為功率級(jí)開關(guān)。
  4. 逆變器和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)。
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路。
  6. 其他需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

ME80N75,
  IRFB840G,
  IXYS: IXFN80N75T

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