ME8204BM6G 是一款由 Micron(美光)生產(chǎn)� NAND Flash 存儲芯片,采� 3D TLC 架構。這款芯片主要用于需要大容量存儲的應用場景,例如固態(tài)硬盤(SSD�、嵌入式存儲設備以及消費類電子產(chǎn)品等。該芯片具備高可靠性和高性能的特�,支持多種接口協(xié)議以滿足不同應用需求�
該系列芯片基于美光先進的 3D NAND 技�,能夠在更小的物理空間內(nèi)提供更高的存儲密�,同時優(yōu)化了功耗表�(xiàn)和數(shù)�(jù)傳輸速度�
容量�64GB
存儲類型:NAND Flash
架構�3D TLC
接口� Toggle Mode 2.0
工作電壓�1.8V / 3.3V
封裝形式:BGA
�(shù)�(jù)傳輸速率:最高可� 400MT/s
擦寫壽命:約 1000 � P/E 周期
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
ME8204BM6G 的主要特性包括:
1. 高密度存儲:通過 3D TLC 技�,在單個芯片上實現(xiàn)大容量存��
2. 快速數(shù)�(jù)傳輸:支� Toggle Mode 2.0 接口�(xié)�,確保高速的�(shù)�(jù)讀寫性能�
3. 可靠性設計:具備糾錯碼(ECC)功�,能夠有效降低數(shù)�(jù)錯誤�,提高數(shù)�(jù)可靠��
4. 靈活的工作電壓:兼容 1.8V � 3.3V 工作電壓,適合多種應用場��
5. 廣泛的工作溫度范圍:可以在工�(yè)級溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運�,適用于各種�(huán)境條件下的應用�
6. 小型化封裝:采用 BGA 封裝方式,節(jié)省電路板空間,適合對尺寸有嚴格要求的設計�
ME8204BM6G 芯片廣泛應用于以下領域:
1. 固態(tài)硬盤(SSD):
作為核心存儲介質(zhì),為 SSD 提供大容量和高性能的存儲能��
2. 嵌入式系�(tǒng)�
用于工業(yè)控制、物�(lián)�(wǎng)設備以及其他需要高可靠性和高性能存儲的嵌入式應用�
3. 消費類電子產(chǎn)品:
如智能手�、平板電�、數(shù)碼相機等,提供快速的�(shù)�(jù)訪問和大容量存儲支持�
4. 服務器和�(shù)�(jù)中心�
在企�(yè)級存儲解決方案中使用,提供高吞吐量和低延遲的�(shù)�(jù)訪問性能�
ME8204BM6GA, MT29F64G08CBADAWP