ME8321AS7G-N 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要用于開�(guān)和功率管理應(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適合于各種需要快速開�(guān)和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)��
這款 MOSFET 通常用于電源�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)等領(lǐng)�。其封裝形式� SOT-23 小型表面貼裝封裝,便于在緊湊�(shè)�(jì)中使��
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�2.8A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�65mΩ
柵極電荷(Qg)�6nC
總功�(Ptot)�0.8W
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
ME8321AS7G-N 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,支持高頻操�,適用于開關(guān)電源� DC/DC �(zhuǎn)換器�
3. 小巧� SOT-23 封裝,節(jié)� PCB 空間,適合便攜式�(shè)備和小型化設(shè)�(jì)�
4. 寬泛的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境條件下仍能�(wěn)定運(yùn)��
5. 高可靠性,滿足工業(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)電子�(chǎn)品的�(yán)格要��
6. 具備�(yōu)異的靜電防護(hù)能力,增�(qiáng)器件在實(shí)際應(yīng)用中的耐用��
ME8321AS7G-N 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源� DC/DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和電池管理系�(tǒng)中的功率控制�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)切換�
5. 各種便攜式設(shè)備的電源管理模塊�
該器件憑借其高性能和小尺寸,成為許多功率敏感應(yīng)用的理想選擇�
ME8321AS7G, IRF7409, FDN337N