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MEM4N60THG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 17:53:54 查看 閱讀�24

MEM4N60THG是一款高壓MOSFET(金�-氧化�-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),采用TO-247封裝形式。該器件主要用于高電壓和高效率應(yīng)用,如開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。它具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,能夠在高頻條件下實(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)��
  這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器�,其漏源極額定電壓為600V,能夠承受較高的電壓波動(dòng),適用于工業(yè)及汽車電子等�(duì)可靠性要求較高的場景�

參數(shù)

漏源極電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�10A
  �(dǎo)通電阻:0.38Ω
  柵極電荷�45nC
  總電容:1500pF
  最大功耗:175W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�

特�

1. 高額定電壓(600V�,適合高壓應(yīng)用場景�
  2. 較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))僅�0.38Ω,可降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)性能,柵極電荷較?�?5nC),有助于減少開�(guān)損��
  4. 采用�(jiān)固耐用的TO-247封裝,具備良好的散熱性能�
  5. 支持寬溫度范圍(-55℃至+150℃),適用于惡劣�(huán)境條件下的應(yīng)��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的功率開關(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中作為主開關(guān)或同步整流元��
  3. 逆變器電路中的功率級(jí)控制�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的功率輸出級(jí)�
  5. 各類工業(yè)�(shè)備和汽車電子系統(tǒng)中的高壓功率管理模塊�
  6. 能量存儲(chǔ)系統(tǒng)中的充放電控制開�(guān)�

替代型號(hào)

IRFP460, STP10NK60Z, FQA12N60C

mem4n60thg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)