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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > MFI337S3959

MFI337S3959 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 20:16:05 查看 閱讀�10

MFI337S3959是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等電力電子應(yīng)�。該芯片采用了先�(jìn)的溝槽式技�(shù)�(shè)�(jì),能夠提供較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力。同�(shí),其封裝形式緊湊,便于在空間受限的應(yīng)用中使用�
  該器件具有出色的熱性能和電氣性能,能夠在高頻條件下實(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)�。此�,MFI337S3959還具備快速開(kāi)�(guān)速度和低柵極電荷的特�(diǎn),使其成為節(jié)能型�(shè)�(jì)的理想選��

參數(shù)

�(lèi)型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  持續(xù)漏極電流(Id)�40A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
  柵極電荷(Qg)�38nC
  總電�(Ciss)�1580pF
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=14ns, toff=26ns
  工作溫度范圍(Tj)�-55℃至+175�

特�

MFI337S3959的核心優(yōu)�(shì)在于其超低的�(dǎo)通電阻以及高效率的開(kāi)�(guān)性能�
  1. 溝槽式MOSFET�(jié)�(gòu)�(yōu)化了單位面積的電流密�,從而顯著降低Rds(on),減少了傳導(dǎo)損耗�
  2. 快速的�(kāi)�(guān)速度降低了開(kāi)�(guān)�(guò)程中的能量損�,提高了整體效率�
  3. 具備�(wěn)健的雪崩能力和短路耐受能力,增�(qiáng)了器件的可靠性�
  4. 高溫操作范圍確保了其在極端環(huán)境下的穩(wěn)定��
  5. 小型化封裝節(jié)省了PCB空間,適合現(xiàn)代緊湊型�(shè)�(jì)需��

�(yīng)�

這款芯片廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(chǎng)�,包括但不限于:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS),如筆記本適配器、工�(yè)電源��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于汽�(chē)電子和通信�(shè)��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,例如步�(jìn)電機(jī)和無(wú)刷直流電�(jī)控制�
  4. 太陽(yáng)能逆變器以及其他需要高效功率管理的系統(tǒng)�
  由于其強(qiáng)大的電流處理能力和低功耗特性,MFI337S3959特別適用于要求高效率、高溫穩(wěn)定性的�(chǎng)��

替代型號(hào)

MFI337S4050
  MFI338S3959
  IRFZ44N

mfi337s3959推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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