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MG2700E 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/3/25 10:36:42 查看 閱讀：42

MG2700E是一款高性能的功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。

參數(shù)

類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
　　最大漏源電壓：60V
　　最大柵源電壓：±20V
　　連續(xù)漏極電流：10A
　　導(dǎo)通電阻：4.5mΩ（典型值）
　　柵極電荷：19nC
　　總電容：320pF
　　工作溫度范圍：-55℃至+150℃

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻，可顯著降低傳導(dǎo)損耗。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)性能，適用于高頻應(yīng)用。
　　3. 較小的封裝尺寸，便于在緊湊設(shè)計(jì)中使用。
　　4. 內(nèi)置反向二極管，提供額外的保護(hù)功能。
　　5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且可靠。
　　6. 具有良好的熱穩(wěn)定性和抗浪涌能力，適合嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)電源中的主開(kāi)關(guān)管。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流管。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率開(kāi)關(guān)。
　　4. 各類負(fù)載切換和保護(hù)電路。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
　　6. 汽車電子中的電池管理系統(tǒng)（BMS）。

替代型號(hào)

IRFZ44N
　　STP10NK60Z
　　FDP5800

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