MG2700E是一款高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:10A
導(dǎo)通電阻:4.5mΩ(典型值)
柵極電荷:19nC
總電容:320pF
工作溫度范圍:-55℃至+150℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可顯著降低傳導(dǎo)損耗。
2. 高速開(kāi)關(guān)性能,適用于高頻應(yīng)用。
3. 較小的封裝尺寸,便于在緊湊設(shè)計(jì)中使用。
4. 內(nèi)置反向二極管,提供額外的保護(hù)功能。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠。
6. 具有良好的熱穩(wěn)定性和抗浪涌能力,適合嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用。
1. 開(kāi)關(guān)電源中的主開(kāi)關(guān)管。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流管。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率開(kāi)關(guān)。
4. 各類負(fù)載切換和保護(hù)電路。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
6. 汽車電子中的電池管理系統(tǒng)(BMS)。
IRFZ44N
STP10NK60Z
FDP5800