MG610331-5是一款高性能的MOSFET功率晶體�,廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)動和逆變器等領域。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電�、高開關速度和優(yōu)異的熱性能,非常適合要求高效能和小體積的設��
MG610331-5為N溝道增強型場效應晶體�,能夠承受較高的漏源電壓,并在高頻應用中表現(xiàn)出卓越的性能�
類型:N溝道MOSFET
漏源電壓(Vds)�600V
柵源電壓(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�13A
導通電�(Rds(on))�0.4Ω
總功�(Ptot)�270W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
MG610331-5的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,支持高�600V的漏源電�,適用于高壓電路�(huán)��
2. 極低的導通電�,僅�0.4Ω,可顯著降低功率損��
3. 快速開關特性,適合高頻應用場合�
4. �(yōu)化的熱設計,提高器件散熱效率�
5. 緊湊的封裝形�,有助于減小整體設計尺寸�
6. 可靠性高,能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定運��
這些特性使MG610331-5成為工業(yè)和消費電子領域中理想的選��
MG610331-5主要應用于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS),如適配器和充電器�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關元件�
3. 各種電機�(qū)動系�(tǒng),包括家用電器和工業(yè)設備中的電機控制�
4. 逆變器和不間斷電�(UPS)�
5. LED�(qū)動器和照明控制系�(tǒng)�
6. 汽車電子中的負載切換和保護電��
由于其出色的性能和可靠�,MG610331-5幾乎可以滿足任何需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用需��
MG610332-5, IRF840, STP13NF06