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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > MG630831

MG630831 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 11:38:55 查看 閱讀�25

MG630831是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,從而顯著降低了功耗并提升了系�(tǒng)效率。此外,MG630831具備出色的熱�(wěn)定性和抗浪涌能�,能夠在�(yán)苛的工作�(huán)境中保持可靠�(yùn)行�
  這款功率MOSFET適用于多種電子設(shè)�,包括但不限于工�(yè)控制、消�(fèi)類電子產(chǎn)品以及汽車電子領(lǐng)域。其封裝形式通常為TO-220或TO-252,便于散熱管理及電路板布局�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  漏源極電�(Vds)�60V
  柵源極電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�30A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ(典型值,Vgs=10V�
  輸入電容(Ciss)�1500pF
  最大功�(Ptot)�125W
  工作溫度范圍(Ta)�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-220, TO-252

特�

MG630831的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和高效�,這使其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)�。具體特性如下:
  1. 極低的導(dǎo)通電�(4mΩ),可減少�(dǎo)通損耗,提高整體效率�
  2. 快速開�(guān)速度,支持高頻操�,適用于開關(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件的耐用性和可靠��
  4. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,提高了芯片在惡劣環(huán)境下的抗干擾能力�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合全球市場(chǎng)要求�
  6. 良好的熱性能�(shè)�(jì),簡(jiǎn)化了散熱解決方案,降低了系統(tǒng)成本�

�(yīng)�

MG630831由于其卓越的電氣特性和可靠性,被廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和適配器�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器和逆變��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  5. 汽車電子系統(tǒng)的繼電器替代方案�
  6. 各種需要高效功率開�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP5570
  STP30NF06L

mg630831推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)