時間：2025/5/23 12:19:11
閱讀：19
MGSF1N02LT1G 是一款由 Microchip 生產(chǎn)的 N 溝道增強型 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能。它適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機驅(qū)動以及電源管理等場景。
這款 MOSFET 的封裝形式為 SOT-23 小型表面貼裝封裝，適合高密度電路板設(shè)計，同時具備優(yōu)異的空間利用率。
最大漏源電壓：20V
連續(xù)漏極電流：1.5A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：140mΩ
柵極-源極電壓（Vgs）：±20V
功耗：0.42W
工作溫度范圍：-55℃ to +150℃
封裝類型：SOT-23
MGSF1N02LT1G 提供了非常低的導(dǎo)通電阻，從而減少了功率損耗并提高了效率。其小型化的 SOT-23 封裝使其非常適合空間受限的應(yīng)用環(huán)境。
此外，該器件支持快速開關(guān)操作，并能承受瞬態(tài)電壓尖峰。由于其工作溫度范圍寬廣，因此可以在各種嚴(yán)苛條件下穩(wěn)定運行。
此 MOSFET 還擁有較低的輸入和輸出電荷，有助于提高高頻下的效率表現(xiàn)。整體而言，MGSF1N02LT1G 是一款高效且可靠的功率開關(guān)器件。
MGSF1N02LT1G 廣泛應(yīng)用于便攜式電子設(shè)備中的電源管理單元，例如智能手機、平板電腦和筆記本電腦的充電電路。
在工業(yè)領(lǐng)域，它可以作為電機控制和繼電器驅(qū)動的核心元件；在消費類電子產(chǎn)品中，則常見于 LED 驅(qū)動、音頻放大器保護電路及電池管理系統(tǒng) (BMS) 等。
此外，它還被用于汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換功能，比如電動車窗、雨刷器和座椅加熱等功能模塊的控制。
AO3400
IRLML6402
FDMC8817
