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MGSF1N03LT1G 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 18:37:52 查看 閱讀�30

MGSF1N03LT1G 是一款由 Microchip 生產� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TLF3 封裝形式,適用于多種開關電源、DC-DC 轉換器以及電機驅動等應用。其低導通電阻和快速開關特性使其成為高效率設計的理想選擇�
  該器件能夠在高達 30V 的電壓下工作,并具備良好的熱性能,從而提高了系統(tǒng)的可靠性和�(wěn)定�。由于其出色的電氣特性和封裝設計,MGSF1N03LT1G 廣泛應用于消費類電子產品、工�(yè)控制及汽車電子領��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�48A
  導通電阻(典型值)�1.2mΩ
  柵極電荷�58nC
  輸入電容�1670pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

MGSF1N03LT1G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開關能�,減少開關損�,適合高頻應��
  3. 高雪崩能量能�,增強器件在異常條件下的魯棒��
  4. 符合 RoHS 標準,確保環(huán)保合�(guī)�
  5. 支持表面貼裝技術(SMD�,便于自動化生產和高效組��
  6. 出色的熱性能,允許更高的功率密度和更緊湊的設��
  此外,其耐熱增強型封裝設計可以有效提升散熱性能,延長使用壽��

應用

MGSF1N03LT1G 可廣泛應用于以下場景�
  1. 開關模式電源(SMPS)中的同步整流�
  2. DC-DC 轉換器的核心開關元件�
  3. 電機驅動電路中的功率級控制�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護和切換功能�
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的負載開關和保護裝��
  6. 工業(yè)自動化設備中的功率轉換和驅動模塊�
  憑借其卓越的性能和可靠�,MGSF1N03LT1G 成為許多高性能功率應用的首選解決方��

替代型號

MGSF1N03LT1GA, MGSF1N03LT1GB

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mgsf1n03lt1g參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫歐 @ 1.2A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds140pF @ 5V
  • 功率 - 最�420mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MGSF1N03LT1GOSMGSF1N03LT1GOS-NDMGSF1N03LT1GOSTR