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MGSF1P02LT1 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 15:43:43 查看 閱讀�36

MGSF1P02LT1 是一� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管),專為低電壓、高效率�(yīng)用設(shè)�。該器件采用 trench 工藝制造,具有極低的導通電阻和快速開�(guān)特�,適用于多種電源管理場景�
  � MOSFET 的封裝形式為 SOT-23,非常適合空間受限的�(shè)計環(huán)�。其�(yōu)異的性能使其成為便攜式電子設(shè)備、電池管理系�(tǒng)以及 DC-DC �(zhuǎn)換器中的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±8V
  連續(xù)漏極電流�1.4A
  導通電阻(Rds(on)):26mΩ @ Vgs=4.5V
  柵極電荷�3.7nC
  開關(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

MGSF1P02LT1 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)��
  3. 小型 SOT-23 封裝,節(jié)� PCB 空間�
  4. 高雪崩耐量,增強了器件的魯棒��
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
  6. 低柵極電�,簡化驅(qū)動電路設(shè)計并降低開關(guān)損��

�(yīng)�

MGSF1P02LT1 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 便攜式電子設(shè)備的電源管理�
  2. 開關(guān)模式電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  3. 電池保護和管理系�(tǒng)�
  4. 負載開關(guān)和功率分配�
  5. 電機�(qū)動和控制�
  6. 信號切換和隔雀�
  7. 各類消費類電子產(chǎn)品中的低壓電源解決方��

替代型號

MGSF1P02LT2, MGSF1P02LTA

mgsf1p02lt1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

mgsf1p02lt1資料 更多>

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  • 描述
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mgsf1p02lt1參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C750mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C350 毫歐 @ 1.5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds130pF @ 5V
  • 功率 - 最�400mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MGSF1P02LT1OSTR