MGSF1P02LT1 是一� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管),專為低電壓、高效率�(yīng)用設(shè)�。該器件采用 trench 工藝制造,具有極低的導通電阻和快速開�(guān)特�,適用于多種電源管理場景�
� MOSFET 的封裝形式為 SOT-23,非常適合空間受限的�(shè)計環(huán)�。其�(yōu)異的性能使其成為便攜式電子設(shè)備、電池管理系�(tǒng)以及 DC-DC �(zhuǎn)換器中的理想選擇�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�1.4A
導通電阻(Rds(on)):26mΩ @ Vgs=4.5V
柵極電荷�3.7nC
開關(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55� � +150�
MGSF1P02LT1 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)��
3. 小型 SOT-23 封裝,節(jié)� PCB 空間�
4. 高雪崩耐量,增強了器件的魯棒��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
6. 低柵極電�,簡化驅(qū)動電路設(shè)計并降低開關(guān)損��
MGSF1P02LT1 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 便攜式電子設(shè)備的電源管理�
2. 開關(guān)模式電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. 電池保護和管理系�(tǒng)�
4. 負載開關(guān)和功率分配�
5. 電機�(qū)動和控制�
6. 信號切換和隔雀�
7. 各類消費類電子產(chǎn)品中的低壓電源解決方��
MGSF1P02LT2, MGSF1P02LTA