MIS2031是一款高性能的單通道IGBT驅動芯片,廣泛應用于工業(yè)電機控制、太陽能逆變器以及開關電源等領域。該芯片集成了多種保護功能,如過流保護、欠壓鎖定和短路保護等,能夠顯著提升系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
芯片內部設計了優(yōu)化的柵極驅動電路,能夠有效降低開關損耗并提高效率。此外,MIS2031支持高側和低側驅動,具有快速響應和低傳播延遲的特點,使其非常適合高頻開關應用。
工作電壓:10V~20V
輸出電流峰值:±2A
傳播延遲時間:80ns(典型值)
隔離電壓:2500Vrms
工作溫度范圍:-40℃~125℃
封裝形式:SOIC-8
MIS2031采用了先進的CMOS工藝制造,具備以下特點:
1. 內置死區(qū)時間控制,防止直通現象發(fā)生。
2. 提供可調節(jié)的柵極驅動電阻,以適應不同IGBT的需求。
3. 支持主動米勒鉗位功能,抑制寄生導通問題。
4. 集成負壓尖峰抑制功能,增強系統(tǒng)抗干擾能力。
5. 超低功耗待機模式,減少靜態(tài)電流消耗。
6. 具有軟關斷功能,降低因短路導致的電流沖擊風險。
7. 寬輸入電壓范圍和良好的電氣隔離性能,確保在惡劣環(huán)境下的可靠運行。
MIS2031主要應用于以下領域:
1. 工業(yè)變頻器及伺服驅動器中的功率級驅動。
2. 太陽能逆變器和其他可再生能源發(fā)電系統(tǒng)。
3. 開關電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)。
4. 電動汽車和混合動力汽車中的電力電子轉換模塊。
5. 各種需要精確控制IGBT開關的應用場景。
MIS2032
MIS2041
IR2110