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MJB44H11G 發(fā)布時間 時間�2023/4/3 11:33:59 查看 閱讀�1281

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:晶體管(BJT) - 單路

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)� 

家庭:晶體管(BJT) - 單路

晶體管類型:NPN

電流 - 集電� (Ic)(最大)�10A

電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�80V

Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)�1V @ 400mA, 8A

電流 - 集電極截止(最大)�10μA

在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)�40 @ 4A, 1V

功率 - 最大:2W

頻率 - �(zhuǎn)換:50MHz

安裝類型:表面貼� 

封裝/外殼:D2Pak,TO-263�2 引線 + 接片�

包裝:管�

供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK

其它名稱:MJB44H11GOS

資料

廠商
ON Semiconductor

mjb44h11g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

mjb44h11g資料 更多>

  • 型號
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mjb44h11g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)10A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)80V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)1V @ 400mA�8A
  • 電流 - 集電極截止(最大)10µA
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)40 @ 4A�1V
  • 功率 - 最�2W
  • 頻率 - �(zhuǎn)�50MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D2PAK
  • 包裝管件
  • 其它名稱MJB44H11GOS