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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > MJD210T4G

MJD210T4G 發(fā)布時間 時間�2023/4/10 10:34:12 查看 閱讀�1014

MJD210T4G參數(shù)

目錄

概述

類型:PNP

集電極-�(fā)射集最小雪崩電壓VCEO(V)�25

集電極最大電�IC(Max)(A)�

直流電流增益hFE最小�(dB)�45

直流電流增益hFE最大�(dB)�180

最小電流增益帶寬乘積Ft(MHz)�65

總功耗PD(W)�12.500

封裝/溫度(�)�3DPAK/-65~150

資料

廠商
ON Semiconductor

mjd210t4g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

mjd210t4g資料 更多>

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mjd210t4g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�PNP
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)5A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)25V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)1.8V @ 1A�5A
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)45 @ 2A�1V
  • 功率 - 最�1.4W
  • 頻率 - �(zhuǎn)�65MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�DPAK-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MJD210T4GOSMJD210T4GOS-NDMJD210T4GOSTR