MJD45H11RLG技術參�(shù)
類型:PNP
集電極-�(fā)射集最小雪崩電壓VCEO(V)�80
集電極最大電�IC(Max)(A)�
直流電流增益hFE最小�(dB)�40
最小電流增益帶寬乘積Ft(MHz)�50
總功耗PD(W)�20
封裝/溫度(�):DPAK/-55~150
IC型號索引� A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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