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ML621S/DN 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 19:33:45 查看 閱讀�51

ML621S/DN是一款高性能的低功耗CMOS靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM�。該芯片具有快速訪問時(shí)�、低功耗和高可靠�,廣泛應(yīng)用于各種需要臨�(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)的電子設(shè)備中。它采用�(biāo)�(zhǔn)的CMOS制造工�,確保了在長�(shí)間運(yùn)行下的穩(wěn)定性和耐用��
  該型�(hào)支持同步或異步操作模�,可以根�(jù)�(shí)際需求靈活配�。此外,ML621S/DN�(nèi)置上電復(fù)位功�,在系統(tǒng)加電或掉電時(shí)能夠自動(dòng)清除�(shù)�(jù)以防止混亂�

參數(shù)

容量�32K x 8 bits
  工作電壓�2.7V � 3.6V
  訪問�(shí)間:70ns
  �(shù)�(jù)保持�(shí)間:無限
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式:TSSOP-48

特�

ML621S/DN采用了先�(jìn)的CMOS技�(shù),具有極低的功耗特�。在待機(jī)模式下,芯片的電流消耗非常小,非常適合電池供電設(shè)��
  此外,這款芯片支持硬件寫保�(hù)功能,可以有效防止意外寫入導(dǎo)致的�(shù)�(jù)丟失�
  其高速讀寫能力使其成為嵌入式系統(tǒng)、通信�(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的理想選�。內(nèi)置的上電�(fù)位功能�(jìn)一步提升了系統(tǒng)的穩(wěn)定性與安全性�
  由于采用了小型化的TSSOP封裝,ML621S/DN能夠在有限的空間�(nèi)提供更高的性能,適合對體積敏感的應(yīng)用場��

�(yīng)�

ML621S/DN適用于多種領(lǐng)域,包括但不限于工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)�、汽車電子以及家用電器等�
  在工�(yè)自動(dòng)化中,它可以用于臨時(shí)存儲(chǔ)傳感器數(shù)�(jù)或控制指��
  在消�(fèi)類電子產(chǎn)品中,如�(shù)碼相�(jī)或打印機(jī),ML621S/DN可以作為緩沖存儲(chǔ)器來提升�(shù)�(jù)處理速度�
  此外,它也常見于通信模塊�,用作協(xié)議轉(zhuǎn)換或�(shù)�(jù)暫存�

替代型號(hào)

ML62QV32S-DN, AS6C1008, CY7C1021DV33

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  • �(chǎn)品型�(hào)
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