MLG1608B1N0ST000 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的功率晶體管,由 MACOM 提供。它采用� GaN-on-Silicon 技�(shù),適用于高頻和高效率�(yīng)用場合。該器件�(shè)�(jì)用于射頻功率放大�、無線通信基站以及雷達(dá)系統(tǒng)等高性能�(yīng)用場景�
這款 GaN 晶體管在尺寸上非常緊�,封裝形式為小型化塑� SMD 封裝,適合高密度電路板布局。其卓越的電氣性能使其成為傳統(tǒng)硅基 LDMOS 或者其他半�(dǎo)體材料的理想替代方案�
最大漏源電壓:100V
最大柵極電壓:+6V/-4V
漏極飽和電流�1.2A
輸出功率�5W
增益�10dB
頻率范圍:DC-6GHz
封裝類型:SMD
MLG1608B1N0ST000 具有高擊穿電�、低�(dǎo)通電阻和高頻工作能力,是新一代功率放大器的核心組�。由于氮化鎵材料的優(yōu)異性能,該器件能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率和更小的體��
此外,它的熱阻較�,散熱性能�(yōu)�,非常適合高功率密度的應(yīng)用場�。與傳統(tǒng)的硅基功率晶體管相比,MLG1608B1N0ST000 在高頻段表現(xiàn)出更好的線性和�(wěn)定��
該器件還具備�(nèi)置保�(hù)功能,包括過壓保�(hù)和短路保�(hù),從而提高了整體系統(tǒng)的可靠��
MLG1608B1N0ST000 廣泛�(yīng)用于射頻功率放大器的�(shè)�(jì)�,特別適用于無線基礎(chǔ)�(shè)施中的宏基站和小基站�
此外,該器件也常見于軍事�(lǐng)域的相控�?yán)走_(dá)系統(tǒng),以及工�(yè)、科�(xué)和醫(yī)療設(shè)� (ISM) 的高頻能量傳��
由于其出色的效率和緊湊的外形,MLG1608B1N0ST000 還被用作�(wèi)星通信和航空航天應(yīng)用中的關(guān)鍵元��
MLG1608B2N0ST000
MLG1608C1N0ST000