時(shí)間：2025/4/28 20:27:20
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MLG1608B1N0ST000 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的功率晶體管，由 MACOM 提供。它采用了 GaN-on-Silicon 技術(shù)，適用于高頻和高效率應(yīng)用場合。該器件設(shè)計(jì)用于射頻功率放大器、無線通信基站以及雷達(dá)系統(tǒng)等高性能應(yīng)用場景。
這款 GaN 晶體管在尺寸上非常緊湊，封裝形式為小型化塑封 SMD 封裝，適合高密度電路板布局。其卓越的電氣性能使其成為傳統(tǒng)硅基 LDMOS 或者其他半導(dǎo)體材料的理想替代方案。
最大漏源電壓：100V
最大柵極電壓：+6V/-4V
漏極飽和電流：1.2A
輸出功率：5W
增益：10dB
頻率范圍：DC-6GHz
封裝類型：SMD
MLG1608B1N0ST000 具有高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻和高頻工作能力，是新一代功率放大器的核心組件。由于氮化鎵材料的優(yōu)異性能，該器件能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率和更小的體積。
此外，它的熱阻較低，散熱性能優(yōu)越，非常適合高功率密度的應(yīng)用場景。與傳統(tǒng)的硅基功率晶體管相比，MLG1608B1N0ST000 在高頻段表現(xiàn)出更好的線性和穩(wěn)定性。
該器件還具備內(nèi)置保護(hù)功能，包括過壓保護(hù)和短路保護(hù)，從而提高了整體系統(tǒng)的可靠性。
MLG1608B1N0ST000 廣泛應(yīng)用于射頻功率放大器的設(shè)計(jì)中，特別適用于無線基礎(chǔ)設(shè)施中的宏基站和小基站。
此外，該器件也常見于軍事領(lǐng)域的相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)，以及工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療設(shè)備 (ISM) 的高頻能量傳輸。
由于其出色的效率和緊湊的外形，MLG1608B1N0ST000 還被用作衛(wèi)星通信和航空航天應(yīng)用中的關(guān)鍵元件。
MLG1608B2N0ST000
MLG1608C1N0ST000
