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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > MLG1608B1N0ST000

MLG1608B1N0ST000 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 20:27:20 查看 閱讀�38

MLG1608B1N0ST000 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的功率晶體管,由 MACOM 提供。它采用� GaN-on-Silicon 技�(shù),適用于高頻和高效率�(yīng)用場合。該器件�(shè)�(jì)用于射頻功率放大�、無線通信基站以及雷達(dá)系統(tǒng)等高性能�(yīng)用場景�
  這款 GaN 晶體管在尺寸上非常緊�,封裝形式為小型化塑� SMD 封裝,適合高密度電路板布局。其卓越的電氣性能使其成為傳統(tǒng)硅基 LDMOS 或者其他半�(dǎo)體材料的理想替代方案�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  最大柵極電壓:+6V/-4V
  漏極飽和電流�1.2A
  輸出功率�5W
  增益�10dB
  頻率范圍:DC-6GHz
  封裝類型:SMD

特�

MLG1608B1N0ST000 具有高擊穿電�、低�(dǎo)通電阻和高頻工作能力,是新一代功率放大器的核心組�。由于氮化鎵材料的優(yōu)異性能,該器件能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率和更小的體��
  此外,它的熱阻較�,散熱性能�(yōu)�,非常適合高功率密度的應(yīng)用場�。與傳統(tǒng)的硅基功率晶體管相比,MLG1608B1N0ST000 在高頻段表現(xiàn)出更好的線性和�(wěn)定��
  該器件還具備�(nèi)置保�(hù)功能,包括過壓保�(hù)和短路保�(hù),從而提高了整體系統(tǒng)的可靠��

�(yīng)�

MLG1608B1N0ST000 廣泛�(yīng)用于射頻功率放大器的�(shè)�(jì)�,特別適用于無線基礎(chǔ)�(shè)施中的宏基站和小基站�
  此外,該器件也常見于軍事�(lǐng)域的相控�?yán)走_(dá)系統(tǒng),以及工�(yè)、科�(xué)和醫(yī)療設(shè)� (ISM) 的高頻能量傳��
  由于其出色的效率和緊湊的外形,MLG1608B1N0ST000 還被用作�(wèi)星通信和航空航天應(yīng)用中的關(guān)鍵元��

替代型號

MLG1608B2N0ST000
  MLG1608C1N0ST000

mlg1608b1n0st000推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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mlg1608b1n0st000�(chǎn)�

mlg1608b1n0st000參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列MLG
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 類型多層
  • 材料 - 磁芯陶瓷,無磁�
  • 電感1 nH
  • 容差±0.3nH
  • 額定電流(安培)600 mA
  • 電流 - 飽和 (Isat�-
  • 屏蔽無屏�
  • DC 電阻 (DCR)100 毫歐最�
  • 不同頻率�(shí) Q �8 @ 100MHz
  • 頻率 - 自諧�10GHz
  • 等級-
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 電感頻率 - 測試100 MHz
  • 特�-
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 供應(yīng)商器件封�0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)0.037"�0.95mm�