時間：2025/5/30 14:07:23
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MM1Z24BW是一種高速、低功耗的CMOS靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)，具有高可靠性與優(yōu)良的電氣性能。該芯片采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造，廣泛應(yīng)用于需要快速數(shù)據(jù)訪問和穩(wěn)定存儲的各種電子設(shè)備中。其組織結(jié)構(gòu)為2K x 8位，提供總共16Kbit的存儲容量。
MM1Z24BW具備標(biāo)準(zhǔn)的同步接口特性，適用于多種工業(yè)及商業(yè)環(huán)境下的數(shù)據(jù)緩沖、臨時存儲等應(yīng)用。
存儲容量：16Kbit
組織形式：2K x 8
工作電壓(Vcc)：4.5V ~ 5.5V
訪問時間：25ns
工作電流：30mA（最大值）
待機(jī)電流：20μA（最大值）
封裝形式：SOJ-18, PDIP-18
溫度范圍：商業(yè)級：0°C ~ 70°C，工業(yè)級：-40°C ~ +85°C
MM1Z24BW采用了CMOS技術(shù)，具有低功耗的特點，同時保持了較快的訪問速度。
該芯片支持全靜態(tài)操作，無需刷新電路，簡化了系統(tǒng)設(shè)計。
具備三態(tài)輸出功能，允許總線共享，提高了系統(tǒng)的靈活性。
輸入輸出引腳具有施密特觸發(fā)特性，增強(qiáng)了抗噪能力。
在待機(jī)模式下，芯片能夠顯著降低功耗，非常適合對電池壽命有要求的應(yīng)用場景。
其寬溫度范圍選項使得該器件可以適應(yīng)多種工作環(huán)境。
MM1Z24BW廣泛應(yīng)用于各種需要高性能數(shù)據(jù)存儲的場合，例如通信設(shè)備中的數(shù)據(jù)緩沖、工業(yè)控制系統(tǒng)的臨時數(shù)據(jù)存儲、消費類電子產(chǎn)品中的程序運行緩存以及醫(yī)療儀器的數(shù)據(jù)記錄等功能。
由于其低功耗和快速訪問時間，該芯片也適合便攜式設(shè)備和手持終端使用。
此外，其三態(tài)輸出特性使其成為多芯片系統(tǒng)中的理想選擇，可以方便地與其他邏輯電路協(xié)同工作。
MM1Z24BQ
MM1Z24BP
M6816P
HM6116LP
