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MM1Z24BW 發(fā)布時間 時間:2025/5/30 14:07:23 查看 閱讀:14

MM1Z24BW是一種高速、低功耗的CMOS靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM),具有高可靠性與優(yōu)良的電氣性能。該芯片采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造,廣泛應(yīng)用于需要快速數(shù)據(jù)訪問和穩(wěn)定存儲的各種電子設(shè)備中。其組織結(jié)構(gòu)為2K x 8位,提供總共16Kbit的存儲容量。
  MM1Z24BW具備標(biāo)準(zhǔn)的同步接口特性,適用于多種工業(yè)及商業(yè)環(huán)境下的數(shù)據(jù)緩沖、臨時存儲等應(yīng)用。

參數(shù)

存儲容量:16Kbit
  組織形式:2K x 8
  工作電壓(Vcc):4.5V ~ 5.5V
  訪問時間:25ns
  工作電流:30mA(最大值)
  待機(jī)電流:20μA(最大值)
  封裝形式:SOJ-18, PDIP-18
  溫度范圍:商業(yè)級:0°C ~ 70°C,工業(yè)級:-40°C ~ +85°C

特性

MM1Z24BW采用了CMOS技術(shù),具有低功耗的特點,同時保持了較快的訪問速度。
  該芯片支持全靜態(tài)操作,無需刷新電路,簡化了系統(tǒng)設(shè)計。
  具備三態(tài)輸出功能,允許總線共享,提高了系統(tǒng)的靈活性。
  輸入輸出引腳具有施密特觸發(fā)特性,增強(qiáng)了抗噪能力。
  在待機(jī)模式下,芯片能夠顯著降低功耗,非常適合對電池壽命有要求的應(yīng)用場景。
  其寬溫度范圍選項使得該器件可以適應(yīng)多種工作環(huán)境。

應(yīng)用

MM1Z24BW廣泛應(yīng)用于各種需要高性能數(shù)據(jù)存儲的場合,例如通信設(shè)備中的數(shù)據(jù)緩沖、工業(yè)控制系統(tǒng)的臨時數(shù)據(jù)存儲、消費類電子產(chǎn)品中的程序運行緩存以及醫(yī)療儀器的數(shù)據(jù)記錄等功能。
  由于其低功耗和快速訪問時間,該芯片也適合便攜式設(shè)備和手持終端使用。
  此外,其三態(tài)輸出特性使其成為多芯片系統(tǒng)中的理想選擇,可以方便地與其他邏輯電路協(xié)同工作。

替代型號

MM1Z24BQ
  MM1Z24BP
  M6816P
  HM6116LP

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