時間：2025/4/29 17:41:28
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MM3141JNRE 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用 N 溝道增強型設(shè)計。該器件具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，非常適合用于高效能電源管理應(yīng)用中。其封裝形式通常為表面貼裝類型，方便自動化生產(chǎn)。這款芯片廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、負載開關(guān)等領(lǐng)域，能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和可靠性。
MM3141JNRE 的主要特點包括高雪崩能量能力、低柵極電荷以及出色的熱性能，這使得它在高電流和高頻應(yīng)用場景下表現(xiàn)優(yōu)異。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：28A
導通電阻：1.7mΩ
柵極電荷：59nC
開關(guān)時間：ton=12ns, toff=20ns
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
1. 極低的導通電阻（Rds(on)），有助于減少傳導損耗，提高整體效率。
2. 快速開關(guān)速度，支持高頻操作，適合現(xiàn)代高效電源轉(zhuǎn)換需求。
3. 高雪崩擊穿能力，增強了器件在異常條件下的耐用性和魯棒性。
4. 優(yōu)化的熱阻抗設(shè)計，確保了良好的散熱性能，延長使用壽命。
5. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且適用于全球市場。
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)
2. 直流-直流轉(zhuǎn)換器 (DC-DC converters)
3. 電機驅(qū)動與控制
4. 負載開關(guān)及保護電路
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模塊
IRF3205, AO3400A, FDP5570N
