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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > MMBD101LT1G

MMBD101LT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/4/6 11:34:26 查看 閱讀�502

MMBD101LT1G參數(shù)

目錄

概述

反向重復(fù)峰值電壓VRRM(max)(V)�

平均整流�前向電流IO(max)(A)�0.010

瞬間前向電壓VF(max)@IF(V)�0.6/0.01A

非重�(fù)峰值浪涌電流IFSM(max)(A):-

瞬間反轉(zhuǎn)電流IR(max)(mA)�0.25/3.0V

封裝/溫度(�)�3SOT-23/-55~150

資料

廠商
ON Semiconductor

mmbd101lt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

mmbd101lt1g資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

mmbd101lt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭RF 二極�
  • 系列-
  • 二極管類�肖特� - �
  • 電壓 - 峰值反�(最�)7V
  • 電流 - 最�-
  • 電容@ Vr, F1pF @ 0V�1MHz
  • 電阻@ Vr, F-
  • 功率耗散(最大)225mW
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MMBD101LT1GOSMMBD101LT1GOS-NDMMBD101LT1GOSTR