MMBD330T1G 是一款由 ON Semiconductor 提供的 NPN 型小信號晶體管。該晶體管主要應(yīng)用于高頻放大器、開關(guān)電路和一般用途的模擬及數(shù)字電路設(shè)計中。它采用 SOT-23 封裝,體積小巧,適合高密度電路板設(shè)計。此器件具有較高的增益(β值)和低噪聲特性,能夠滿足對性能要求較高的應(yīng)用需求。
MMBD330T1G 的設(shè)計使其能夠在寬廣的工作頻率范圍內(nèi)提供穩(wěn)定的性能表現(xiàn),同時具備較低的飽和電壓,非常適合于高速開關(guān)和低功耗應(yīng)用。
集電極-發(fā)射極擊穿電壓:30V
集電極最大電流:200mA
直流電流增益(hFE):100至400
功率耗散:350mW
工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃
封裝類型:SOT-23
MMBD330T1G 晶體管以其緊湊的設(shè)計和優(yōu)異的電氣性能著稱。以下是其主要特性:
1. 高增益范圍(100 至 400),適用于各種需要穩(wěn)定增益的應(yīng)用場景。
2. 支持高達 30V 的集電極-發(fā)射極擊穿電壓,保證在較高電壓環(huán)境下的可靠性。
3. 極低的飽和電壓,可有效減少功率損耗并提高效率。
4. 工作溫度范圍廣泛,從 -55°C 到 +150°C,適應(yīng)多種惡劣環(huán)境。
5. SOT-23 封裝形式,便于表面貼裝技術(shù)(SMT)使用,節(jié)省空間并提升裝配效率。
6. 適用于高頻電路設(shè)計,提供穩(wěn)定且快速的開關(guān)能力。
MMBD330T1G 主要用于以下應(yīng)用場景:
1. 音頻放大器和射頻放大器中的小信號放大功能。
2. 數(shù)字邏輯電路中的開關(guān)應(yīng)用。
3. 脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制器中的驅(qū)動元件。
4. 穩(wěn)壓器或電源管理模塊中的輔助晶體管。
5. 傳感器接口電路中的信號調(diào)節(jié)元件。
6. 各種消費類電子產(chǎn)品,如手機、平板電腦和其他便攜式設(shè)備中的控制電路。
MMBT3904LT1, 2N3904, BC847B