MMBD770LT1G 是一款高性能的雙極性晶體管(BJT�,屬� NPN 類型,主要用于高頻開�(guān)和信號放大應�。該晶體管具有低噪聲、高增益和快速開�(guān)特性,適用于無線通信、射頻模塊和其他高頻電子設備��
集電�-�(fā)射極電壓(VCEO):30V
集電極電流(IC):200mA
直流電流增益(hFE):最小� 300,最大� 800
頻率特性(ft):4GHz
功耗(Ptot):360mW
封裝類型:SOT-363
MMBD770LT1G 具有以下顯著特點�
1. 高頻響應能力,適合射頻和高速數(shù)字電��
2. 小尺� SOT-363 封裝,有助于節(jié)� PCB 空間�
3. 高電流增益范�,能夠提供穩(wěn)定的信號放大效果�
4. 工作電壓較低,適用于低功耗設��
5. �(wěn)定性好,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)正常工作�-55°C � +150°C��
6. 良好的抗干擾性能,適用于噪聲敏感�(huán)��
這款晶體管廣泛應用于以下�(lǐng)域:
1. 射頻信號放大和調(diào)制解�(diào)電路�
2. 高速數(shù)�(jù)傳輸中的開關(guān)控制�
3. 移動通信設備中的功率放大模塊�
4. 音頻設備中的前置放大器�
5. 測試與測量儀器中的精密信號處理電��
6. 各類便攜式電子設備中的低功耗控制單元�
MMBT770LT1G, MMBT770T1G