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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > MMBF4392LT1

MMBF4392LT1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 12:46:44 查看 閱讀�25

MMBF4392LT1 是一款由 NXP(恩智浦)生�(chǎn)的雙極性晶體管(BJT�,具體為一�(gè) PNP 型晶體管。該器件采用 SOT-23 小型表面貼裝封裝,具有低飽和電壓、高增益和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于各種便攜式電子設(shè)備和功率管理電路��
  它適合用于負(fù)載開�(guān)、電平轉(zhuǎn)換、恒流源以及低功耗應(yīng)用中的信�(hào)放大或切換功�。由于其緊湊的封裝形式和出色的電氣性能,MMBF4392LT1 成為了許多設(shè)�(jì)工程師在需要小型化和高效能解決方案�(shí)的首��

參數(shù)

集電�-�(fā)射極擊穿電壓�45V
  集電極電流(最大)�-200mA
  直流電流增益(hFE):250~600
  集電�-�(fā)射極飽和電壓�0.2V(典型值)
  功耗(最大)�350mW
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

MMBF4392LT1 的主要特�(diǎn)包括以下幾點(diǎn)�
  1. 高電流增益:直流電流增益 hFE 范圍� 250 � 600,在小信�(hào)�(yīng)用中提供了較高的控制精度�
  2. 低飽和電壓:典型值僅� 0.2V,能夠有效減少功率損�,提高系�(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)能力:得益于其優(yōu)化的�(shè)�(jì),可以實(shí)�(xiàn)快速的�(dǎo)通與�(guān)斷,適用于高頻場(chǎng)��
  4. 緊湊封裝:SOT-23 封裝使得這款晶體管非常適合空間受限的�(yīng)用環(huán)��
  5. 寬廣的工作溫度范圍:� -55°C � +150°C 的溫度區(qū)間保證了其在極端條件下的可靠性�

�(yīng)�

MMBF4392LT1 可以用于多種電子電路�,例如:
  1. �(fù)載開�(guān):用�(lái)控制�(fù)載電路的開啟和關(guān)��
  2. 電平�(zhuǎn)換:在不同邏輯電平之間�(jìn)行轉(zhuǎn)換�
  3. 恒流源:�(gòu)建精確的恒定電流�,為 LED 或其他負(fù)載供��
  4. 信號(hào)放大:放大微弱信�(hào)以便后續(xù)處理�
  5. 保護(hù)電路:用作過(guò)流保�(hù)或短路檢�(cè)的一部分�

替代型號(hào)

MMBT4392LT1, BC847B, BC847C

mmbf4392lt1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

mmbf4392lt1資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

mmbf4392lt1參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝10
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭JFET(結(jié)�(diǎn)�(chǎng)效應(yīng)
  • 系列-
  • 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0)25mA @ 15V
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 漏極電流 (Id) - 最�-
  • FET �N 溝道
  • 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)30V
  • 電壓 - 切斷 (VGS �(guān))@ Id2V @ 10nA
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds14pF @ 15V
  • 電阻 - RDS(開�60 歐姆
  • 安裝類型表面貼裝
  • 包裝剪切� (CT)
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 功率 - 最�225mW
  • 其它名稱MMBF4392LT1OSCT