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MMBT4126LT1G 發(fā)布時間 時間�2023/4/6 10:41:12 查看 閱讀�388

類別:分離式半導體產�

目錄

概述

類別:分離式半導體產� 

家庭:晶體管(BJT) - 單路

晶體管類型:PNP

電流 - 集電� (Ic)(最大)�200mA

電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�25V

Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)�400mV @ 5mA, 50mA

電流 - 集電極截止(最大)�-

在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)�120 @ 2mA, 1V

功率 - 最大:225mW

頻率 - 轉換�250MHz

安裝類型:表面貼� 

封裝/外殼:SOT-23-3, TO-236-3, Micro3?, SSD3, SST3 

包裝:帶� (TR)

供應商設備封裝:SOT-23

資料

廠商
ON Semiconductor

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mmbt4126lt1g參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�PNP
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)200mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)25V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)400mV @ 5mA�50mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)120 @ 2mA�1V
  • 功率 - 最�225mW
  • 頻率 - 轉換250MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MMBT4126LT1GOSMMBT4126LT1GOS-NDMMBT4126LT1GOSTR