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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > MMBT4403LT1G

MMBT4403LT1G 發(fā)布時間 時間�2024/7/5 15:00:53 查看 閱讀�432

MMBT4403LT1G是一款小信號PNP晶體管,由ON Semiconductor生產(chǎn)。它是一款替代性的器件,能夠替�2N4403、BC807、BC807W、BC807-16、BC807-25、BC807-40等PNP晶體��
  MMBT4403LT1G采用SOT-23封裝,體積小、重量輕,適合在空間受限的應(yīng)用中使用。它的最大電流為600mA,最大電壓為40V,具有高的電流增益和低的飽和壓降�
  MMBT4403LT1G晶體管的�(yīng)用領(lǐng)域包括音頻放�、低噪聲放大�、功率控制器和開�(guān)等。由于其小巧的封裝和�(yōu)異的性能,它還廣泛應(yīng)用于便攜式電子設(shè)�、無線通信、汽車電子和�(yī)療設(shè)備等�(lǐng)��
  總之,MMBT4403LT1G是一款性能�(yōu)�、可靠性高、體積小巧的PNP晶體�,適用于多種�(yīng)用場��

參數(shù)與指�

1、封裝形式:SOT-23
  2、最大電流:600mA
  3、最大電壓:40V
  4、放大系�(shù)�100�300
  5、飽和電壓:0.2V
  6、開啟時間:15ns
  7、頻率范圍:250MHz
  8、工作溫度范圍:-55℃至150�

組成�(jié)�(gòu)

MMBT4403LT1G小信號PNP晶體管由三個區(qū)域組成:P型區(qū)、N型區(qū)和P型區(qū)。其中N型區(qū)為基極,P型區(qū)為發(fā)射極,P型區(qū)為集電極�

工作原理

MMBT4403LT1G小信號PNP晶體管在工作時,當基極連接到負電源�,基極電流會引起N型區(qū)的電子向P型區(qū)移動,從而形成一個基極電�。由于P型區(qū)與集電極之間有一定的反向電壓,因此只有當基極電流大于集電極電流時,晶體管才會處于放大狀�(tài)。當晶體管處于放大狀�(tài)時,集電極電流會隨著基極電流的變化而變�,從而實�(xiàn)信號放大�

技�(shù)要點

1、晶體管的封裝形式:MMBT4403LT1G小信號PNP晶體管采用SOT-23封裝,體積小、重量輕,適合在空間受限的應(yīng)用中使用�
  2、晶體管的放大系�(shù):MMBT4403LT1G小信號PNP晶體管的放大系數(shù)�100�300之間,可以實�(xiàn)較高的信號放��
  3、晶體管的飽和電壓:MMBT4403LT1G小信號PNP晶體管的飽和電壓僅為0.2V,可以減小功耗和�(fā)熱�
  4、晶體管的開啟時間:MMBT4403LT1G小信號PNP晶體管的開啟時間僅為15ns,可以實�(xiàn)快速開�(guān)�

�(shè)計流�

1、確定應(yīng)用場景:首先要確定晶體管的應(yīng)用場�,例如音頻放�、低噪聲放大�、功率控制器和開�(guān)��
  2、選擇晶體管型號:根�(jù)�(yīng)用場景選擇合適的晶體管型�,例如MMBT4403LT1G小信號PNP晶體��
  3、計算電路參�(shù):根�(jù)晶體管的參數(shù)和指�,計算出電路所需的參�(shù),例如電�、電�、放大系�(shù)��
  4、繪制電路圖:根�(jù)計算出的參數(shù),繪制晶體管電路��
  5、模擬仿真:通過模擬仿真軟件對晶體管電路進行仿真,驗證電路的性能和穩(wěn)定��
  6、PCB�(shè)計:根據(jù)電路圖和仿真�(jié)�,設(shè)計PCB電路板�
  7、調(diào)試測試:制作PCB電路板后進行�(diào)試測試,驗證電路的性能和穩(wěn)定��

注意事項

1、靜電保護:晶體管在使用過程中要注意防止靜電,避免損壞器��
  2、熱管理:晶體管在使用過程中會產(chǎn)生熱�,需要進行合理的熱管理,避免器件過熱損��
  3、接線正確:晶體管的接線要正�,避免接線錯誤導致器件損��

mmbt4403lt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

mmbt4403lt1g資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
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mmbt4403lt1g參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�PNP
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)600mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)40V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)750mV @ 50mA�500mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)100 @ 150mA�2V
  • 功率 - 最�225mW
  • 頻率 - �(zhuǎn)�200MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MMBT4403LT1GOSMMBT4403LT1GOS-NDMMBT4403LT1GOSTR