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MMDF2C03HDR2G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/11/8 17:57:22 查看 閱讀：135

類(lèi)別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

目錄

概述

類(lèi)別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：MOSFETs - 陣列
FET 型：N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：70 毫歐 @ 3A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：4.1A, 3A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250μA
閘電荷(Qg) @ Vgs：16nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：630pF @ 24V
功率 - 最大：2W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（3.9mm 寬）
包裝：帶卷 (TR)
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC (窄型)
其它名稱(chēng)：MMDF2C03HDR2GOSMMDF2C03HDR2GOS-NDMMDF2C03HDR2GOSTR

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mmdf2c03hdr2g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 溝道
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.1A，3A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C70 毫歐 @ 3A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds630pF @ 24V
  • 功率 - 最大2W
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)MMDF2C03HDR2GOSMMDF2C03HDR2GOS-NDMMDF2C03HDR2GOSTR